|
Страница 14
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования и
компонентов, указанных в пункте 3.1,
других, нежели те, которые указаны в
пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.10 или в
пункте 3.1.1.1.12, которые специально
разработаны или имеют те же самые
функциональные характеристики, как и
другое оборудование, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
2. Контрольный статус интегральных
схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или в пункте
3.1.1.1.12, программы которых не
могут быть изменены, или
разработанных для выполнения
конкретных функций для другого
оборудования, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель или
заявитель не может определить
контрольный статус другого
оборудования, этот статус
определяется контрольным статусом
интегральных схем, указанных в
пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или
пункте 3.1.1.1.12; если интегральная
схема является кремниевой микросхемой
микроЭВМ или микросхемой
микроконтроллера, указанных в пункте
3.1.1.1.3, и имеет длину слова
операнда 8 бит или менее, то ее
контрольный статус должен
определяться в соответствии с пунктом
3.1.1.1.3
3.1.1. Электронные компоненты, такие, как:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
Примечания:
1. Контрольный статус готовых пластин
или полуфабрикатов для их
изготовления, на которых
воспроизведена конкретная функция,
оценивается по параметрам, указанным
в пункте 3.1.1.1
2. Понятие "интегральные схемы"
включает следующие типы:
твердотельные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая
интегральные схемы типа "кремний на
сапфире"; оптические интегральные
схемы
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 8542
или определяемые как радиационно
стойкие, выдерживающие любое из
следующих воздействий:
а) общую дозу 5 х 10-3 Гр (кремний)
[5 х 10-5 рад (кремний)] или выше;
или
б) предел мощности дозы 5 х 10-6 Гр/с
(кремний) [5 х 10-8 рад (кремний)]/с
или выше;
3.1.1.1.2. Микропроцессорные микросхемы, 8542
микрокомпьютерные микросхемы,
микросхемы микроконтроллеров,
интегральные схемы памяти,
изготовленные на полупроводниковых
соединениях, аналого-цифровые
преобразователи, цифроаналоговые
преобразователи,
электронно-оптические или оптические
интегральные схемы для обработки
сигналов, программируемые
пользователем логические устройства,
интегральные схемы для нейронных
сетей, заказные интегральные схемы, у
которых функция неизвестна, либо
производителю неизвестно,
распространяется ли контрольный
статус на аппаратуру, в которой будут
использоваться данные интегральные
схемы, процессоры быстрого
преобразования Фурье, интегральные
схемы электрически программируемых
постоянных запоминающих устройств
(ЭППЗУ), программируемые с
ультрафиолетовым стиранием, и
статических запоминающих устройств с
произвольной выборкой (СЗУПВ),
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 К (+125°
С);
б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 К (-55°С);
или
в) работоспособные за пределами
диапазона температур окружающей среды
от 218 К (-55°С) до 398 К (+125°С)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется
на интегральные схемы для гражданских
автомобилей и железнодорожных
поездов;
3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы,
микрокомпьютерные микросхемы и
микросхемы микроконтроллеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры
цифровых сигналов, цифровые матричные
процессоры и цифровые сопроцессоры
3.1.1.1.3.1. Совокупную теоретическую 85422145;
производительность (СТП) 6500 млн. 8542215000;
теоретических операций в секунду 85422183;
(Мтопс) или более и 8542218500;
арифметико-логическое устройство с 854260000
длиной выборки 32 бита или более;
3.1.1.1.3.2. Изготовленные на полупроводниковых 85422145;
соединениях и работающие на тактовой 8542215000;
частоте, превышающей 40 МГц; или 85422183;
8542218500;
854260000
3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или 85422145;
команд, или порт последовательной 8542215000;
связи, которые обеспечивают прямое 85422183;
внешнее межсоединение между 8542218500;
параллельными микросхемами 854260000
микропроцессоров со скоростью
передачи, превышающей 150 Мбит/с
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 85422145;
изготовленные на полупроводниковых 8542215000;
соединениях; 85422183;
8542218500;
854260000
3.1.1.1.5. Интегральные схемы для 8542296000;
аналого-цифровых и цифро-аналоговых 8542299009;
преобразователей, такие, как: 8542600009
а) аналого-цифровые преобразователи,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разрешающую способность 8 бит или
более, но меньше 12 бит с общим
временем преобразования менее 5 нс;
2) разрешающую способность 12 бит с
общим временем преобразования менее
200 нс; или
3) разрешающую способность более 12
бит с общим временем преобразования
менее 2 мкс;
б) цифро-аналоговые преобразователи с
разрешающей способностью 12 бит и
более и временем выхода на
установившийся режим менее 10 нс;
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов
соответствует 2n уровням квантования;
2. Общее время преобразования
является обратной величиной
разрешающей способности
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические 8542
интегральные схемы для обработки
сигналов, имеющие одновременно все
перечисленные составляющие:
а)один внутренний лазерный диод или
более;
б) один внутренний
светочувствительный элемент или
более; и
в) оптические волноводы;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем 8542216900;
логические устройства, имеющие любую 8542219900
из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 30000 (в пересчете на
двухвходовые);
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,4 нс;
или
в) частоту переключения, превышающую
133 МГц;
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.7 включает:
простые программируемые логические
устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические
устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем
вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем
логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем
межсоединения (ППМС)
Особое Примечание.
Программируемые пользователем
логические устройства также известны
как программируемые пользователем
вентильные или программируемые
пользователем логические матрицы
3.1.1.1.8. Исключен
3.1.1.1.9. Интегральные схемы для нейронных 8542
сетей;
3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, у 8542216900;
которых функция неизвестна либо 8542219900;
производителю неизвестно, 854229;
распространяется ли контрольный 854260000
статус на аппаратуру, в которой будут
использоваться данные интегральные
схемы, имеющие любую из следующих
характеристик:
а)свыше 1000 выводов;
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,1 нс;
или
в) рабочую частоту, превышающую 3
ГГц;
3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, 8542
отличающиеся от указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12,
созданные на основе какого-либо
полупроводникового соединения и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 3000 (в пересчете на
двухвходовые); или
б)частоту переключения, превышающую
1,2 ГГц;
3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования 85422145;
Фурье, имеющие расчетное время 8542215000;
выполнения комплексного N-точечного 85422183;
сложного быстрого преобразования 8542218500;
Фурье менее (N log2 N)/20480 мс, где 854260000
N - число точек
Техническое примечание.
В случае, когда N равно 1024 точкам,
формула в пункте 3.1.1.1.12 дает
результат времени выполнения 500 мкс
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона, такие, как:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные
вакуумные лампы и катоды:
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются
лампы, разработанные или
спроектированные для работы в любом
диапазоне частот, который
удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц;
б) распределен Международным союзом
электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для
радиоопределения
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540790000
непрерывного действия, такие, как:
а) работающие на частотах,
превышающих 31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода
со временем от включения до выхода
лампы на предельную радиочастотную
мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами
или их модификации с относительной
шириной полосы частот более 7% или
пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их
модификации, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) мгновенную ширину полосы более
одной октавы и произведение средней
мощности (выраженной в кВт) на
рабочую частоту (выраженную в ГГц)
более 0,5;
2) мгновенную ширину полосы в одну
октаву или менее и произведение
средней мощности (выраженной в кВт)
на рабочую частоту (выраженную в ГГц)
более 1; или
3) годные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с 8540710000
коэффициентом усиления более 17 дБ;
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540990000
разработанные для электронных ламп,
имеющих плотность тока при
непрерывной эмиссии и штатных
условиях функционирования,
превышающую 5 А/кв.см
3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные 854229;
схемы или модули, имеющие все 854260000;
следующее: 8542700000
а) содержащие твердотельные
интегральные схемы, имеющие один или
более чем один элемент активных
цепей; и
б) работающие на частотах выше 3 ГГц
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируются схемы или модули для
оборудования, разработанного или
спроектированного для работы в любом
диапазоне частот, который
удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц;
б) распределен Международным
союзом электросвязи для
обслуживания радиосвязи, но не
для радиоопределения
2. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируется радиопередающее
спутниковое оборудование,
разработанное или спроектированное
для работы в полосе частот от 40.5 до
42,5 ГГц;
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 8541210000;
предназначенные для работы на 8541290000
частотах, превышающих 31 ГГц;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные 8543899500
усилители, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работающие на частотах свыше 10,5
ГГц и имеющие мгновенную ширину
полосы частот более пол-октавы;
б)работающие на частотах свыше 31
ГГц;
3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или магнитной 8543899500
настройкой, содержащие более пяти
настраиваемых резонаторов,
обеспечивающих настройку в полосе
частот с соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5:1
(fmax/fmin) менее чем за 10 мкс,
имеющие любую из следующих
составляющих:
а) полосовые фильтры, имеющие полосу
пропускания частоты более 0,5% от
резонансной частоты; или
б) заградительные фильтры, имеющие
полосу подавления частоты менее 0,5%
от резонансной частоты;
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 8542700000
работать на частотах, превышающих 31
ГГц;
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 8543899500
разработанные для расширения
частотного диапазона аппаратуры,
указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5
или 3.1.2.6;
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности СВЧ, 8543899500
содержащие лампы, контролируемые по
пункту 3.1.1.2, и имеющие все
следующие характеристики:
а)рабочие частоты свыше 3 ГГц;
б) среднюю плотность выходной
мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
в)объем менее 400 куб.см
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется
аппаратура, спроектированная для
работы в любом диапазоне частот,
распределенном Международным союзом
электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для
радиоопределения
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально спроектированные для них
компоненты, такие, как:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 8541600000
волнах и на акустических волнах в
тонкой подложке (т.е. приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале), имеющие
любую из следующих характеристик:
а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или
б) несущую частоту более 1 ГГц, но не
превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ;
2) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
3) ширину полосы частот более 250
МГц; или
4) задержку рассеяния, превышающую 10
мкс; или
в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
1) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
2) задержку рассеяния, превышающую 10
мкс; или
3) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ и ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541600000
волнах (т.е. приборы для обработки
сигналов, использующие упругие волны
в материале), обеспечивающие
непосредственную обработку сигналов
на частотах свыше 1 ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 8541600000
сигналов, использующие взаимодействие
между акустическими волнами
(объемными или поверхностными) и
световыми волнами, что позволяет
непосредственно обрабатывать сигналы
или изображения, включая анализ
спектра, корреляцию или свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540; 8541;
содержащие компоненты, изготовленные 8542; 8543
из сверхпроводящих материалов,
специально спроектированные для
работы при температурах ниже
критической температуры хотя бы одной
из сверхпроводящих составляющих,
имеющие хотя бы один из следующих
признаков:
а) токовые переключатели для цифровых
схем, использующие сверхпроводящие
вентили, у которых произведение
времени задержки на вентиль (в
секундах) на рассеяние мощности на
вентиль (в ваттах) ниже 10-14 Дж; или
б) селекцию частоты на всех частотах
с использованием резонансных контуров
с добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители энергии:
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на 8506; 8507;
фотоэлектрических элементах, такие,
как:
а) первичные элементы и батареи с из 8541409000
плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг
и пригодные по техническим условиям
для работы в диапазоне температур от
243 К (-30°С) и ниже до 343 К (70°С)
и выше
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется путем
умножения средней мощности в ваттах
(произведение среднего напряжения в
вольтах на средний ток в амперах) на
длительность цикла разряда в часах,
при котором напряжение на разомкнутых
клеммах падает до 75% от номинала, и
деления полученного произведения на
общую массу элемента (или батареи) в
кг;
б) подзаряжаемые элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 150 Вт.ч/кг
после 75 циклов заряда-разряда при
токе разряда, равном С/5 ч (С -
номинальная емкость в ампер-часах),
при работе в диапазоне температур от
253 К (-20°С) и ниже до 333 К (60°С)
и выше;
в) батареи, по техническим условиям
годные для применения в космосе, и
радиационно стойкие батареи на
фотоэлектрических элементах с
удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м
при рабочей температуре 301 К (28°С)
и вольфрамовом источнике, нагретом до
2800 К (2527°С) и создающем
энергетическую освещенность 1
кВт/кв.м
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются
батареи объемом 27 куб.см и меньше
(например, стандартные угольные
элементы или батареи типа R14);
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, такие, 8506;
как:
а) накопители с частотой повторения 8507; 8532
менее 10 Гц (одноразовые накопители),
имеющие все следующие характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
3) общую энергию 25 кДж или более;
б) накопители с частотой повторения
10 Гц и более (многоразовые
накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не менее 5
кВ;
2) плотность энергии не менее 50
Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж; и
количество циклов заряда-разряда не
менее 10000;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 8505199000
соленоиды, специально
спроектированные на полный заряд или
разряд менее чем за одну секунду,
имеющие все нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токопроводящих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию
свыше 8 Т или суммарную плотность
тока в обмотке больше 300 А/кв.мм
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются
сверхпроводящие электромагниты или
соленоиды, специально
спроектированные для медицинской
аппаратуры магниторезонансной
томографии
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи 9031803400
абсолютного углового положения вала в
код, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от
полного диапазона (18 бит); или
б) точность лучше 2,5 угл.с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально
разработанная измерительная магнитная
лента для нее, такие, как:
3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 8520399000;
аналоговой аппаратуры, включая 8520909000;
аппаратуру с возможностью записи 8521103000;
цифровых сигналов (например, 8521108000
использующие модуль цифровой записи
высокой плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц
на электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц
на электронный канал или дорожку, при
числе дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную)
временной шкалы, измеренную по
методикам соответствующих руководящих
материалов Межведомственного совета
по радиопромышленности (IRIG) или
Ассоциации электронной промышленности
(ЕIA), менее +0,1 мкс
Примечание.
Аналоговые видеомагнитофоны,
специально разработанные для
гражданского применения, не
рассматриваются как записывающая
аппаратура;
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие 852110;
максимальную пропускную способность 8521900000
цифрового интерфейса свыше 360
Мбит/с;
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются
цифровые видеомагнитофоны, специально
спроектированные для телевизионной
записи, использующие формат сигнала,
который может включать сжатие формата
сигнала, стандартизированный или
рекомендуемый для применения в
гражданском телевидении Международным
союзом электросвязи, Международной
электротехнической комиссией,
Организацией инженеров по развитию
кино и телевидения, Европейским
союзом радиовещания или Институтом
инженеров по электротехнике и
радиоэлектронике;
3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для 852110
цифровой аппаратуры, использующие
принципы спирального сканирования или
принципы фиксированной головки и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную пропускную
способность цифрового интерфейса
более 175 Мбит/с; или
б) годные для применения в космосе
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются
аналоговые накопители на магнитной
ленте, оснащенные электронными
блоками для преобразования в цифровую
запись высокой плотности и
предназначенные для записи только
цифровых данных;
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 8521900000
способностью цифрового интерфейса
свыше 175 Мбит/с, спроектированная в
целях переделки цифровых
видеомагнитофонов для использования
их как устройств записи данных
цифровой аппаратуры;
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в 8543899500
цифровую форму и записи переходных
процессов, имеющие все следующие
характеристики:
а) скорость преобразования в цифровую
форму не менее 200 млн. проб в
секунду и разрешение 10 или более
проб в секунду; и
б)пропускную способность не менее 2
Гбит/с
Техническое примечание.
Для таких приборов с архитектурой на
параллельной шине пропускная
способность есть произведение
наибольшего объема слов на количество
бит в слове. Пропускная способность -
это наивысшая скорость передачи
данных аппаратуры, с которой
информация поступает в запоминающее
устройство без потерь при сохранении
скорости выборки и аналого-цифрового
преобразования
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 8543200000
частоты, имеющие время переключения с
одной заданной частоты на другую
менее 1 мс;
3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 9030839000;
а) способные анализировать частоты, 9030899200
превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы сигналов
с полосой пропускания в реальном
времени, превышающей 500 кГц
Примечание.
По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не
контролируются динамические
анализаторы сигналов, использующие
только фильтры с полосой пропускания
фиксированных долей (известны также
как октавные или дробно-октавные
фильтры)
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных 8543200000
частот, формирующие выходные частоты
с управлением по параметрам точности,
кратковременной и долговременной
стабильности на основе или с помощью
внутренней эталонной частоты, имеющие
любую из следующих характеристик:
а)максимальную синтезируемую частоту
более 31 ГГц;
б) время переключения с одной
заданной частоты на другую менее 1
мс; или
в) фазовый шум одной боковой полосы
лучше -(126+20 lgF-20 lgf) в
единицах дБхс/Гц, где F - смещение
рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
Примечание.
По пункту 3.1.2.4 не контролируется
аппаратура, в которой выходная
частота создается либо путем сложения
или вычитания частот с двух или более
кварцевых генераторов, либо путем
сложения или вычитания с последующим
умножением результирующей частоты;
3.1.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной 9030409000
рабочей частотой, превышающей 40 ГГц;
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, 8527909800
имеющие все следующие характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 40 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу;
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие 8543200000
любую из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) менее (лучше) 10-11 в
месяц; или
б)годные для применения в космосе
Примечание.
По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не
контролируются рубидиевые стандарты,
не предназначенные для космического
применения
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых
приборов или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка
для них:
3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной
программой, предназначенные для
эпитаксиального выращивания, такие,
как:
3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать 8479896500
толщину слоя с отклонением не более
2,5% на протяжении 75 мм или более;
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения паров 8419892000
металлорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов сложных
полупроводников с помощью химических
реакций между материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или
3.3.4;
3.2.1.1.3. Молекулярно-лучевые установки 8479896500;
эпитаксиального выращивания, 8543896500
использующие газовые или твердые
источники
3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной 8543110000
программой, специально
предназначенные для ионной
имплантации, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) энергию излучения (ускоряющее
напряжение) свыше 1 МэВ;
б) специально спроектированные и
оптимизированные для работы с
энергией излучения (ускоряющим
напряжением) ниже 2 кэВ;
в) обладающие способностью
непосредственной записи; или
г) пригодные для высокоэнергетической
имплантации кислорода в нагретую
подложку полупроводникового
материала;
3.2.1.3. Установки сухого травления 8456910000;
анизотропной плазмой, управляемые 8456998000
встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разработанные или оптимизированные
для производства структур с
критической виличиной отклонения
размера 0,3 мкм или менее при
среднеквадратичной погрешности
3б=+-5%; или
______________________________
б - это греческая буква сигма.
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв.см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по
пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) разработанные или оптимизированные
для производства структур с
критической виличиной отклонения
размера 0,3 мкм или менее при
среднеквадратичной погрешности
3б=+-5%; или
______________________________
б - это греческая буква сигма.
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв.см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.4. Установки химического парофазового 8419892000;
осаждения и плазменной стимуляции, 8419893000
управляемые встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разработанные в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированные для производства
структур с критической виличиной
отклонения размера 0,3 мкм или менее
при среднеквадратичной погрешности
3б=5%; или
______________________________
б - это греческая буква сигма.
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв.см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по
пункту 3.2.1.5, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) разработанные в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированные для производства
структур с критической виличиной
отклонения размера 0.3 мкм или менее
при среднеквадратичной погрешности
3б=5%; или
______________________________
б - это греческая буква сигма.
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв.см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 845610;
автоматически загружаемые 8456910000;
многокамерные системы с центральной 8456998000;
загрузкой пластин, имеющие все 8456993000;
следующие составляющие:
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки 8479500000
пластин, к которым присоединяется
более двух единиц оборудования для
обработки полупроводников; и
б) предназначенные для
интегрированной системы
последовательной многопозиционной
обработки пластин в вакуумной среде
Примечание.
По пункту 3.2.1.5 не контролируются
автоматические робототехнические
системы загрузки пластин, не
предназначенные для работы в вакууме
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые
встроенной программой, такие, как:
3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения и 9009220000
экспонирования (прямого
последовательного шагового
экспонирования) или шагового
сканирования (сканеры) для обработки
пластин методом фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющие
любую из следующих составляющих:
а)источник света с длиной волны
короче 350 нм; или
б) способность воспроизводить рисунок
с минимальным размером разрешения от
0,5 мкм и менее
Технические примечания.
Минимальный размер разрешения (МРР)
рассчитывается по следующей формуле:
(экспозиция источника освещения
с длиной волны в мкм)х(К-фактор),
МРР=--------------------------------
цифровая апертура
где К фактор=0,7;
3.2.1.6.2. Установки, специально 845610; 845699
спроектированные для производства
шаблонов или обработки
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
фокусируемого электронного луча,
пучка ионов или лазерного луча,
имеющие любую из следующих
характеристик:
а)размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить рисунок с
минимальными разрешенными проектными
нормами менее 1 мкм; или
в)точность совмещения лучше 0,20 мкм
(3 сигма)
3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные
фотошаблоны, разработанные для
интегральных схем, контролируемых по
пункту 3.1.1;
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим 901090
слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая
встроенной программой, специально
спроектированная для испытания
готовых или находящихся в разной
степени изготовления
полупроводниковых приборов, и
специально спроектированные
компоненты и приспособления для нее:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031803900
транзисторных приборов на частотах
свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, 9031803900
способная выполнять функциональное
тестирование (по таблицам истинности)
с частотой тестирования строк более
333 МГц
Примечание.
По пункту 3.2.2.2 не контролируется
аппаратура испытаний, специально
спроектированная для испытаний:
а) электронных сборок или класса
электронных сборок для бытовой или
игровой электронной аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок или
интегральных схем;
в) запоминающих устройств;
Техническое примечание.
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28
|
