|
Страница 13
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по
пунктам 2.1, 2.2 или 2.4
2.5.2. Технологии, в соответствии с
общим технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого
по пунктам 2.1 или 2.2
2.5.3. Другие технологии, такие, как:
2.5.3.1. Технологии для разработки
интерактивной графики как
интегрирующей части блоков числового
программного управления для
подготовки или модификации элементов
программ;
2.5.3.2. Нижеперечисленные технологии
производственных процессов
металлообработки:
2.5.3.2.1. Технологии проектирования
инструмента, пресс-форм или
зажимных приспособлений, специально
спроектированных для любого из
следующих процессов:
а) сверхпластического формования;
б) диффузионного сваривания; или
в) гидравлического прессования
прямого действия;
2.5.3.2.2. Технические данные, включающие
параметры или методы реализации
процесса, перечисленные ниже и
используемые для управления:
а) сверхпластическим формованием
алюминиевых, титановых сплавов или
суперсплавов:
1) данные о подготовке поверхности;
2) данные о степени деформации;
3) температура;
4) давление;
б) диффузионным свариванием
титановых сплавов или суперсплавов:
1) данные о подготовке поверхности;
2) температура;
3) давление;
в) гидравлическим прессованием
прямого действия алюминиевых или
титановых сплавов:
1) давление;
2) время цикла;
г) горячей изостатической
модификацией титановых, алюминиевых
сплавов или суперсплавов:
1) температура;
2) давление;
3) время цикла
2.5.3.3. Технологии разработки или
производства гидравлических вытяжных
формовочных машин и соответствующих
матриц для изготовления конструкций
корпусов летательных аппаратов;
2.5.3.4. Технологии для разработки
генераторов машинных команд
(то есть элементов программ)
из проектных данных, находящихся
внутри блоков числового программного
управления;
2.5.3.5. Технологии для разработки
интегрирующего программного
обеспечения для обобщения
экспертных систем, повышающих
в заводских условиях операционные
возможности блоков числового
программного управления;
2.5.3.6. Технологии для применения в
неорганических чисто поверхностных
покрытиях или неорганических
покрытиях с модификацией поверхности
изделия, отмеченных в графе
"Результирующее покрытие"
нижеследующей таблицы; неэлектронных
слоевых покрытий (субстратов),
отмеченных в графе "Подложки"
нижеследующей таблицы; процессов,
отмеченных в графе "Наименование
процесса нанесения покрытия"
нижеследующей таблицы и определенных
техническим примечанием
Особое примечание.
Нижеследующая таблица определяет,
что технология конкретного процесса
нанесения покрытия подлежит
экспортному контролю только в том
случае, когда позиция графы
"Результирующее покрытие"
непосредственно соответствует
позиции графы "Подложки". Например,
в результате обработки подложки типа
"углерод - углерод, керамика и
композиционные материалы с
металлической матрицей" путем
химического осаждения паров может
быть получено силицидное покрытие,
которое не может получиться при том
же способе нанесения покрытия на
подложку типа "цементированный
карбид вольфрама, карбид кремния".
Во втором случае позиция графы
"Результирующее покрытие" не
находится непосредственно напротив
позиции "цементированный карбид
вольфрама, карбид кремния" графы
"Подложки"
Таблица к пункту 2.5.3.6.
Технические приемы осаждения покрытий
-----------------------------T------------------------T---------------------
Наименование процесса ¦ Подложки ¦ Результирующее
нанесения покрытия ¦ ¦ покрытие
-----------------------------+------------------------+---------------------
1. Химическое осаждение паров суперсплавы алюминиды для
внутренних каналов
Керамика (19) и стекла с силициды, карбиды,
малым коэффициентом слои диэлектриков
расширения (14)* (15), алмаз,
алмазоподобный
углерод (17)
______________________________
*См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий
указанному в скобках.
углерод - углерод, силициды, карбиды,
керамика (19) и тугоплавкие металлы,
композиционные смеси перечисленных
материалы с выше материалов (4),
металлической матрицей слои диэлектриков
(15),
алюминиды,
сплавы алюминидов
(2),
нитрид бора
цементированный карбид карбиды, вольфрам,
вольфрама (16), смеси перечисленных
карбид кремния (18) выше материалов (4),
слои диэлектриков
(15)
молибден и его сплавы слои диэлектриков
(15)
бериллий и его сплавы слои диэлектриков
(15)
материалы окон датчиков слои диэлектриков
(9) (15)
2. Физическое осаждение паров
термовыпариванием
2.1. Физическое осаждение суперсплавы сплавы силицидов,
паров электронным лучом сплавы алюминидов (2),
MCrAlX (5),
модифицированные
виды циркония (12),
силициды,
алюминиды,
смеси перечисленных
выше материалов (4)
керамика и стекла с слои диэлектриков
малым коэффициентом (15)
расширения (14)
коррозиестойкие стали MCrAlX (5),
(7) модифицированные виды
циркония (12),
смеси перечисленных
выше материалов (4)
углерод-углерод, силициды,
керамика и карбиды,
композиционные материалы тугоплавкие металлы,
с металлической смеси перечисленных
матрицей выше материалов (4),
слои диэлектриков
(15),
нитрид бора
цементированный карбид карбиды,
вольфрама (16), вольфрам,
карбид кремния смеси перечисленных
выше материалов (4),
слои диэлектриков
(15)
молибден и его сплавы слои диэлектриков
(15)
бериллий и его сплавы слои диэлектриков
(15),
бориды,
бериллий
материалы окон датчиков слои диэлектриков
(9) (15)
титановые сплавы (13) бориды,
нитриды
2.2. Физическое осаждение керамика и стекла с слои диэлектриков
паров с ионизацией малым коэффициентом (15),
посредством резистивного расширения (14) алмазоподобный
нагрева (ионное углерод
гальваническое покрытие)
углерод-углерод, слои диэлектриков
керамика и (15)
композиционные материалы
с металлической матрицей
цементированный карбид слои диэлектриков
вольфрама (16), (15)
карбид кремния
молибден и его сплавы слои диэлектриков
(15)
бериллий и его сплавы слои диэлектриков
(15)
материалы окон датчиков слои диэлектриков
(9) (15),
алмазоподобный
углерод
2.3. Физическое осаждение керамика и стекла с силициды, слои
паров: выпаривание лазером малым коэффициентом диэлектриков (15),
расширения (14) алмазоподобный
углерод
углерод-углерод, слои диэлектриков
керамика и (15)
композиционные материалы
с металлической матрицей
цементированный карбид слои диэлектриков
вольфрама (16), (15)
карбид кремния
молибден и его сплавы слои диэлектриков
(15)
бериллий и его сплавы слои диэлектриков
(15)
материалы окон датчиков слои диэлектриков
(9) (15),
алмазоподобный
углерод
2.4. Физическое осаждение суперсплавы сплавы силицидов,
паров: катодный дуговой сплавы алюминидов
разряд (2),
MCrAlX (5)
полимеры (11) и бориды,
композиционные материалы карбиды,
c органической матрицей нитриды,
алмазоподобный
углерод
3. Цементация (10) углерод-углерод, силициды,
керамика и карбиды,
композиционные материалы смеси перечисленных
с металлической матрицей выше материалов (4)
сплавы титана (13) силициды,
алюминиды,
сплавы алюминидов (2)
тугоплавкие металлы и силициды,
сплавы (8) оксиды
4. Плазменное напыление суперсплавы MCrAlX (5),
модифицированные виды
циркония (12),
смеси перечисленных
выше материалов (4),
эрозионно стойкий
никель-графит,
эрозионно стойкие
материалы,
содержащие никель-
хром-алюминий,
эрозионно стойкий
алюминий-кремний-
полиэфир,
сплавы
алюминидов (2)
алюминиевые сплавы (6) MCrAlX (5),
модифицированные виды
циркония (12),
силициды,
смеси перечисленных
выше материалов (4)
тугоплавкие металлы и алюминиды,
сплавы (8) силициды,
карбиды
коррозиестойкие стали модифицированные виды
(7) циркония (12),
смеси перечисленных
выше материалов (4),
MCrAlX (5)
титановые сплавы (13) карбиды,
алюминиды,
силициды,
сплавы
алюминидов (2),
эрозионно стойкий
никель-графит,
эрозионно стойкие
материалы,
содержащие
никель-хром-
алюминий,
эрозионно стойкий
алюминий-кремний-
полиэфир
5. Осаждение суспензии тугоплавкие металлы и легкоплавкие
шлама) сплавы (8) силициды,
легкоплавкие
алюминиды, (кроме
материалов для
теплостойких
элементов)
углерод-углерод, силициды,
керамика и карбиды,
композиционные материалы смеси перечисленных
с металлической выше материалов (4)
матрицей
6. Металлизация распылением суперсплавы сплавы силицидов,
сплавы алюминидов
(2),
благородные
металлы,
модифицированные
алюминидами (3),
MCrAlX (5),
модифицированные
виды циркония (12),
платина,
смеси перечисленных
выше материалов (4)
керамика и стекла силициды, платина,
с малым коэффициентом смеси перечисленных
расширения (14) выше материалов (4),
слои диэлектриков
(15),
алмазоподобный
углерод
титановые сплавы (13) бориды,
нитриды,
оксиды,
силициды,
алюминиды,
сплавы
алюминидов (2),
карбиды
углерод-углерод, силициды,
керамика и карбиды,
композиционные тугоплавкие металлы,
материалы с смеси перечисленных
металлической матрицей выше материалов (4),
слои диэлектриков
(15),
нитрид бора
цементированный карбид карбиды, вольфрам,
вольфрама (16), смеси перечисленных
карбид кремния выше материалов (4),
слои диэлектриков
(15),
нитрид бора
молибден и его сплавы слои диэлектриков
(15)
бериллий и его сплавы бориды,
слои
диэлектриков (15),
бериллий
материалы окон датчиков слои диэлектриков
(9) (15),
алмазоподобный
углерод
тугоплавкие металлы и алюминиды,
сплавы (8) силициды,
оксиды,
карбиды
7. Ионная имплантация высокотемпературные добавки хрома,
стойкие стали тантала или ниобия
(колумбия - в США)
титановые сплавы (13) бориды,
нитриды
бериллий и его сплавы бориды
цементированный карбид карбиды,
вольфрама (16) нитриды
Примечания к таблице:
1. Процесс нанесения покрытия включает как нанесение нового
покрытия, так и ремонт и обновление существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или
многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или
элементы осаждается покрытие до или в течение процесса
алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с
помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное
использование одношагового процесса пакетной цементации для
получения сплавов алюминидов.
3. Покрытие благородными металлами, модифицированными
алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором
благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо
другим процессом до применения метода нанесения алюминида.
4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции,
выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые
материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов
нанесения покрытий, изложенных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M
эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X
эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или
другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в
различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома,
менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; или
б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22-24% (по весу) хрома,
10-12% (по весу) алюминия и 0,5-0,7% (по весу) иттрия; или
в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21-23% (по весу) хрома,
10-12% (по весу) алюминия и 0,9-1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с
предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более,
измеренным при температуре 293 K (20°C).
7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям,
удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа
и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300
различным показателям, или требованиям соответствующих национальных
стандартов для сталей.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их
сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия),
кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия,
алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40
мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых
профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.
11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид,
поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с
внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как
оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в
соответствии с условиями стабильности определенных
кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из
циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом
смешения или расплава, не контролируются.
13. Титановые сплавы определяются исключительно как
аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв
900 МПа или более, измеренным при 293 K (20°C).
14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как
стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 10**-7 К**-1
или менее, измеренный при 293 К (20°С).
15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным
изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства
конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что
используется для отражения, передачи или поглощения различных
волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из
четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции
диэлектрик-металл.
16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы,
применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида
вольфрама/(кобальт-никель), карбида титана/(кобальт-никель), карбида
хрома/(никель-хром) и карбида хрома/никеля.
17. Не контролируется технология, специально разработанная для
нанесения алмазоподобного углерода на любое из нижеуказанного:
магнитные дисководы и головки, оборудование для производства
расходных материалов, вентили кранов, диафрагмы для динамиков
акустических колонок, части автомобильных двигателей, режущие
инструменты, пресс-формы для штамповки-прессования, офисное
автоматизированное оборудование, микрофоны или медицинские приборы.
18. Карбид кремния не включает материалы для режущих и гибочных
инструментов.
19. Керамические подложки, в том смысле, в котором этот термин
применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические
материалы, содержащие 5% от веса или более, клей или цемент как
отдельные составляющие, а также их сочетания.
Технические примечания к таблице.
Процессы, представленные в графе "Наименование процесса
нанесения покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой
поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал,
диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные
реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в
результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или
компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции
может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом
или лучом лазера.
Особые примечания:
а) химическое осаждение паров включает следующие процессы:
беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее
химическое осаждение паров, управляемое термическое осаждение с
образованием центров кристаллизации, с применением мощного потока
плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы;
б) пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких
составляющих;
в) газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в
беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и
параметрами, такими, как пакетная цементация, кроме случая, когда на
изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.
2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством
резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме
с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии
используется для превращения в пар наносимого материала. В
результате процесса конденсат или покрытие осаждается на
соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной
камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве
модификаций процесса элементами сложного состава покрытия.
Использование ионного или электронного излучения или плазмы для
активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также
свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения
паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение
мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических
характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем.
Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством
резистивного нагрева заключается в следующем:
а) при электронно-лучевом физическом осаждении для нагревания и
испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный
луч;
б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве
источника тепла в сочетании с соударением ионного пучка,
обеспечивающих контролируемый и равномерный (однородный) поток паров
материала покрытия, используется электрическое сопротивление;
в) при парообразовании лазером для испарения материала, который
формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный
луч;
г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве
материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд
дуги на поверхности катода после моментального контакта с
заземленным пусковым устройством (триггером), используется
расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода
приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть
коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или
сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления
нанесением изоляции используются изделия с регулированием их
положения.
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению
покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением
изделия.
д) Ионная имплантация - специальная модификация генерального
процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для
ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение
(заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из
плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в
камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в
процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины
покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического
осаждения паров термовыпариванием.
3. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия
на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда
изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет),
которая состоит из:
а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия
(обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия).
Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры),
которая нагревается от 1030 K (757°C) до 1375 K (1102°C) на время,
достаточное для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего
покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой
образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из
материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где
формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление
может быть основано на напылении плазмой низкого давления или
высокоскоростной плазмой.
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе
сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при
температуре 293 K (20°C) и давлении 0,1 МПа.
5. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия
с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия,
когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим,
суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством
напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной
сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств
покрытия.
6. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества
движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле
по направлению к поверхности мишени (материала покрытия).
Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на
поверхности мишени требуемого покрытия.
Особые примечания:
а) в таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной
или реактивной металлизации распылением, которые применяются для
увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а
также о радиочастотном усилении напыления, используемом при
нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий;
б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть
использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения
покрытия.
7. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с
модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав)
ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала,
и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с
ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная
имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания
электронным лучом или металлизации распылением.
Техническая терминология, используемая
в таблице технических приемов осаждения покрытий
Подразумевается, что следующая техническая информация,
относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий,
используется при необходимости.
1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной
обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:
1.1.1. состав раствора для ванны:
1.1.1.1. для удаления старых или поврежденных покрытий,
продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. для приготовления чистых подложек;
1.1.2. время обработки в ванне;
1.1.3. температура в ванне;
1.1.4. число и последовательность промывочных циклов;
1.2. визуальные и макроскопические критерии для определения
величины чистящей дозы;
1.3. параметры циклов горячей обработки:
1.3.1. атмосферные параметры:
1.3.1.1. состав атмосферы;
1.3.1.2. атмосферное давление;
1.3.2. температура для горячей обработки;
1.3.3. продолжительность горячей обработки;
1.4. параметры подложек для поверхностной обработки:
1.4.1. параметры пескоструйной очистки:
1.4.1.1. состав песка;
1.4.1.2. размеры и форма частиц песка;
1.4.1.3. скорость подачи песка;
1.4.2. время и последовательность циклов очистки после
пескоструйной очистки;
1.4.3. параметры окончательно обработанной поверхности
1.4.4. применение связующих веществ, способствующих адгезии;
1.5. технические параметры защитного покрытия:
1.5.1. материал защитного покрытия;
1.5.2. размещение защитного покрытия.
2. Терминология, используемая при определении технологических
параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных
в таблице:
2.1. атмосферные параметры:
2.1.1. состав атмосферы;
2.1.2. атмосферное давление;
2.2. временные параметры;
2.3. температурные параметры;
2.4. параметры слоя;
2.5. коэффициент параметров преломления;
2.6. контроль структуры покрытия.
3. Терминология, используемая в технологиях для обработки
покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым
песчаником:
3.1. параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. состав дроби;
3.1.2. размер дроби;
3.1.3. скорость подачи дроби;
3.2. параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;
3.3. параметры цикла горячей обработки:
3.3.1. атмосферные параметры:
3.3.1.1. состав атмосферы;
3.3.1.2. атмосферное давление;
3.3.2. температурно-временные циклы;
3.4. визуальные и макроскопические критерии горячей обработки
для последующего нанесения покрытия на подложку.
4. Терминология, используемая в технологиях для определения
технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек,
указанных в таблице:
4.1. критерии статического выборочного контроля;
4.2. микроскопические критерии для:
4.2.1. усиления;
4.2.2. равномерности толщины покрытия;
4.2.3. целостности покрытия;
4.2.4. состава покрытия;
4.2.5. сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. микроструктурной однородности;
4.3. критерии для оценки оптических свойств (мерой измерения
параметров является длина волны):
4.3.1. отражательная способность;
4.3.2. прозрачность;
4.3.3. поглощение;
4.3.4. рассеяние.
5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах,
связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения
поверхности, указанными в таблице:
5.1. для химического осаждения паров:
5.1.1. состав и формулировка источника покрытия;
5.1.2. состав несущего газа;
5.1.3. температура подложки;
5.1.4. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.1.5. контроль и изменение дозировки газа;
5.2. для термального сгущения - физического осаждения паров:
5.2.1. состав слитка или источника материала покрытия;
5.2.2. температура подложки;
5.2.3. состав химически активного газа;
5.2.4. норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого
материала;
5.2.5. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.2.6. контроль и изменение дозировки газа;
5.2.7. параметры лазера:
5.2.7.1. длина волны;
5.2.7.2. плотность мощности;
5.2.7.3. длительность импульса;
5.2.7.4. периодичность импульсов;
5.2.7.5. источник;
5.3. для цементации с предварительной обмазкой:
5.3.1. состав обмазки и формулировка;
5.3.2. состав несущего газа;
5.3.3. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.4. для плазменного напыления:
5.4.1. состав порошка, подготовка и объемы распределения;
5.4.2. состав и параметры подаваемого газа;
5.5.3. температура подложки;
5.4.4. параметры мощности плазменной пушки;
5.4.5. дистанция напыления;
5.4.6. угол напыления;
5.4.7. состав покрывающего газа, давление и скорость потока;
5.4.8. контроль и изменение дозировки плазменной пушки;
5.5. для металлизации распылением:
5.5.1. состав и структура мишени;
5.5.2. геометрическая регулировка положения деталей и мишени;
5.5.3. состав химически активного газа;
5.5.4. высокочастотное подмагничивание;
5.5.5. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.5.6. мощность триода;
5.5.7. изменение дозировки;
5.6. для ионной имплантации:
5.6.1. контроль и изменение дозировки пучка;
5.6.2. элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения;
5.6.4. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.7. для ионного гальванического покрытия:
5.7.1. контроль и изменение дозировки пучка;
5.7.2. элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения;
5.7.4. температурно-временные циклы и циклы давления;
5.7.5. скорость подачи покрывающего материала и скорость
испарения;
5.7.6. температура подложки;
5.7.7. параметры наклона подложки.
---------------T------------------------------------T-----------------------
¦ ¦ Код товарной
№ позиции ¦ Наименование ¦ номенклатуры
¦ ¦ внешнеэкономической
¦ ¦ деятельности
---------------+------------------------------------+-----------------------
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования
и компонентов, указанных в пункте
3.1, других, нежели те, которые
указаны в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.10 или в пункте
3.1.1.1.12, которые специально
разработаны или имеют те же самые
функциональные характеристики, как и
другое оборудование, определяется
по контрольному статусу другого
оборудования.
2. Контрольный статус интегральных
схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или в пункте
3.1.1.1.12, программы которых не
могут быть изменены, или
разработанных для выполнения
конкретных функций для другого
оборудования, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель
или заявитель не может определить
контрольный статус другого
оборудования, этот статус
определяется контрольным статусом
интегральных схем, указанных в
пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или
пункте 3.1.1.1.12; если интегральная
схема является кремниевой
микросхемой микроЭВМ или микросхемой
микроконтроллера, указанных в пункте
3.1.1.1.3, и имеет длину слова
операнда 8 бит или менее, то ее
контрольный статус должен
определяться в соответствии с
пунктом 3.1.1.1.3
3.1.1. Электронные компоненты, такие, как:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
Примечания:
1. Контрольный статус готовых
пластин или полуфабрикатов для их
изготовления, на которых
воспроизведена конкретная функция,
оценивается по параметрам,
указанным в пункте 3.1.1.1.
2. Понятие "интегральные схемы"
включает следующие типы:
твердотельные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы,
включая интегральные схемы типа
"кремний на сапфире";
оптические интегральные схемы
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 8542
или определяемые как радиационно
стойкие, выдерживающие любое
из следующих воздействий:
а) общую дозу 5x10**3 Гр (кремний)
[5x10**5 рад (кремний)] или выше;
или
б) предел мощности дозы 5x10° Гр/с
(кремний) [5x10**8 рад (кремний)]/с
или выше;
3.1.1.1.2. Микропроцессорные микросхемы, 8542
микрокомпьютерные микросхемы,
микросхемы микроконтроллеров,
интегральные схемы памяти,
изготовленные на полупроводниковых
соединениях, аналого-цифровые
преобразователи, цифро-аналоговые
преобразователи,
электронно-оптические или оптические
интегральные схемы для обработки
сигналов, программируемые
пользователем логические устройства,
интегральные схемы для нейронных
сетей, заказные интегральные схемы,
у которых функция неизвестна, либо
производителю неизвестно,
распространяется ли контрольный
статус на аппаратуру, в которой
будут использоваться данные
интегральные схемы, процессоры
быстрого преобразования Фурье,
интегральные схемы электрически
программируемых постоянных
запоминающих устройств (ЭППЗУ),
программируемые с ультрафиолетовым
стиранием, и статических
запоминающих устройств с
произвольной выборкой (СЗУПВ),
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 K
(+125°C);
б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 K (-55°C);
или
в) работоспособные за пределами
диапазона температур окружающей
среды от 218 K (-55°C) до
398 K (+125°C)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не
распространяется на интегральные
схемы для гражданских автомобилей
и железнодорожных поездов;
3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы,
микрокомпьютерные микросхемы
и микросхемы микроконтроллеров,
имеющие любую из следующих
характеристик:
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры
цифровых сигналов, цифровые
матричные процессоры и цифровые
сопроцессоры
3.1.1.1.3.1. Совокупную теоретическую 8542 21 45;
производительность (СТП) 6500 млн. 8542 21 500 0;
теоретических операций в секунду 8542 21 83;
(Мтопс) или более и 8542 21 850 0;
арифметико-логическое устройство с 8542 60 000
длиной выборки 32 бита или более;
3.1.1.1.3.2. Изготовленные на полупроводниковых 8542 21 45;
соединениях и работающие на 8542 21 500 0;
тактовой частоте, превышающей 8542 21 83;
40 МГц; или 8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или 8542 21 45;
команд, или порт последовательной 8542 21 500 0;
связи, которые обеспечивают прямое 8542 21 83;
внешнее межсоединение между 8542 21 850 0;
параллельными микросхемами 8542 60 000
микропроцессоров со скоростью
передачи, превышающей 150 Мбит/с
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 8542 21 45;
изготовленные на полупроводниковых 8542 21 500 0;
соединениях; 8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.5. Интегральные схемы для 8542 29 600 0;
аналого-цифровых и цифро-аналоговых 8542 29 900 9;
преобразователей, такие, как: 8542 60 090 0
а) аналого-цифровые преобразователи,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разрешающую способность 8 бит или
более, но меньше 12 бит с общим
временем преобразования менее 5 нс;
2) разрешающую способность
12 бит с общим временем
преобразования менее 200 нс; или
3) разрешающую способность более
12 бит с общим временем
преобразования менее 2 мкс;
б) цифро-аналоговые преобразователи
с разрешающей способностью 12 бит и
более и временем выхода на
установившийся режим менее 10 нс;
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов
n
соответствует 2 уровням квантования.
2. Общее время преобразования
является обратной величиной
разрешающей способности
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и 8542
оптические интегральные схемы для
обработки сигналов, имеющие
одновременно все перечисленные
составляющие:
а) один внутренний лазерный диод
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28
|
