|
Страница 14
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26
следующих измерений:
а) толщины слоя подложки и
величины производительности
или
б) оптических характеристик
Примечание. По пунктам
2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5,
2.2.5.6 и 2.2.5.7 не
контролируется оборудование
химического парового
осаждения, катодно-дугового
напыления, капельного
осаждения, ионной металлизации
или ионной имплантации,
специально разработанное для
покрытия режущего инструмента
или для механообработки.
2.2.6. Системы или оборудование для
измерения или контроля
размеров, такие, как:
2.2.6.1. управляемые ЭВМ, с числовым 903180310
программным управлением,
управляемые встроенной
программой машины контроля
размеров, имеющие погрешность
измерения длины по трем осям,
равную или менее (лучше)
(1,7+L/1000) мкм (L - длина,
измеряемая в миллиметрах),
тестируемую в соответствии с
международным стандартом ИСО
10360-2;
2.2.6.2. измерительные инструменты для
линейных или угловых
перемещений, такие, как:
2.2.6.2.1. измерительные инструменты для 903140000
линейных перемещений, имеющие
любую из следующих
составляющих:
а) измерительные системы
бесконтактного типа с
разрешающей способностью,
равной или менее (лучше) 0,2
мкм, при диапазоне измерений
до 0,2 мм;
б) системы с линейным
регулируемым дифференциальным
преобразователем напряжения с
двумя следующими
характеристиками:
1) линейностью, равной или
меньше (лучше) 0,1%, в
диапазоне измерений до 5 мм и
2) отклонением, равным или
меньшим (лучшим) 0,1% в день,
при стандартных условиях с
колебанием окружающей
температуры +-1 К или
в) измерительные системы,
имеющие
все следующие составляющие:
1) содержащие лазер и
2) эксплуатируемые непрерывно
по крайней мере 12 ч при
колебаниях окружающей
температуры +-1 К при
стандартных температуре и
давлении, имеющие все
следующие характеристики:
разрешение на их полной шкале
составляет 0,1 мкм или меньше
(лучше) и погрешность
измерения равна или меньше
(лучше) (0,2+L/2000) мкм
(L - длина, измеряемая в
миллиметрах)
Примечание. По пункту
2.2.6.2.1 не контролируются
измерительные
интерферометрические системы
без обратной связи с замкнутым
или открытым контуром,
содержащие лазер для измерения
погрешностей перемещения
подвижных частей станков,
средств контроля размеров или
подобного оборудования.
2.2.6.2.2. угловые измерительные приборы 903140000;
с отклонением углового 903180310;
положения, равным или меньшим 903180910
(лучшим) 0,00025 град.
Примечание. По пункту
2.2.6.2.2 не контролируются
оптические приборы, такие, как
автоколлиматоры, использующие
коллимированный свет для
фиксации углового смещения
зеркала.
2.2.6.3. оборудование для измерения 903140000
неровностей поверхности с
применением оптического
рассеяния как функции угла, с
чувствительностью 0,5 нм или
меньше (лучше)
Примечания: 1. Станки, которые
могут быть использованы в
качестве средств измерения,
подлежат контролю, если их
параметры соответствуют или
превосходят критерии,
установленные для функций
станков или измерительных
приборов.
2. Системы, указанные в пункте
2.2.6, подлежат контролю, если
они по своим параметрам
превышают подлежащий контролю
уровень где-либо в их рабочем
диапазоне.
2.2.7. Нижеперечисленные роботы и 847989500;
специально спроектированные 853710100;
контроллеры и рабочие органы 853710910;
для них: 853710990
а) способные в реальном
масштабе времени полно
отображать процесс или объект
в трех измерениях с
генерированием или
модификацией программ или с
генерированием или
модификацией цифровых
программируемых данных
Примечание. Ограничения по
указанному процессу или
объекту не включают
аппроксимацию третьего
измерения через заданный угол
или интерпретацию через
ограниченную пределами шкалу
для восприятия глубины или
текстуры модификации заданий
(2 1/2 D).
б) специально разработанные в
соответствии с национальными
стандартами безопасности,
приспособленные к условиям
изготовления взрывного
военного снаряжения или
в) специально спроектированные
или оцениваемые как
радиационно стойкие,
выдерживающие больше 5 х 10E-3
Гр (кремний) [5 х 10E-5 рад
(кремний)] без операционной
деградации;
г) специально предназначенные
для операций на высотах,
превышающих 30000 м
2.2.8. Узлы, блоки и вставки,
специально разработанные для
станков или оборудования,
контролируемых по пункту 2.2.6
или 2.2.7, такие, как:
2.2.8.1. блоки оценки линейного 8466
положения с обратной связью
(например, приборы
индуктивного типа,
калиброванные шкалы,
инфракрасные системы или
лазерные системы), имеющие
полную точность меньше (лучше)
[800+(600 x L x 10E--3)] нм
(L - эффективная длина в
миллиметрах)
Примечание. Для лазерных
систем применяется также
примечание к пункту 2.2.6.2.1.
2.2.8.2. блоки оценки положения 8466
вращения с обратной связью
(например, приборы
индуктивного типа,
калиброванные шкалы,
инфракрасные системы или
лазерные системы), имеющие
точность меньше (лучше)
0,00025 град.
Примечание. Для лазерных
систем применяется также
примечание к пункту 2.2.6.2.1.
2.2.8.3. составные вращающиеся столы 8466
или наклоняющиеся шпиндели,
применение которых в
соответствии со спецификацией
изготовителя может
модифицировать станки до
уровня, указанного в пункте
2.2, или выше
2.2.9. Обкатные вальцовочные и 846229100;
гибочные станки, которые в 846390100;
соответствии с технической 846390900
спецификацией изготовителя
могут быть оборудованы блоками
числового программного
управления или компьютерного
управления и которые имеют все
следующие характеристики:
а) с двумя или более
контролируемыми осями, которые
могут одновременно и
согласованно координироваться
для контурного управления, и
б) с вращательной силой более
60 кН
Техническое примечание.
Станки, объединяющие функции
обкатных вальцовочных и
гибочных станков,
рассматриваются для целей
пункта 2.2.9 как относящиеся к
обкатным вальцовочным станкам.
2.3. Материалы - нет
2.4. Программное обеспечение
2.4.1. Программное обеспечение,
специально спроектированное
или модифицированное для
разработки, производства или
применения оборудования,
контролируемого по пунктам 2.1
или 2.2
2.4.2. Программное обеспечение для
электронных устройств, в том
числе встроенное, дающее
возможность таким устройствам
или системам функционировать
как блок ЧПУ, способное
выполнять любую из следующих
операций:
2.4.2.1. координировать одновременно
более четырех осей для
контурного управления или
2.4.2.2. осуществлять в реальном
масштабе времени обработку
данных для изменения
траектории перемещения
инструмента, скорости подачи и
положения шпинделя в течение
операции, выполняемой станком,
в любом из следующих видов:
а) автоматического вычисления
и модификации части
программных данных для
функционирования по двум или
более осям с помощью измерения
циклов и действия с базой
данных или
б) адаптивного управления с
более чем одной физической
переменной, измеренной и
обработанной с помощью
компьютерной модели
(стратегия) для изменения
одной или более машинных
команд для оптимизации
процесса
Примечание. По пункту 2.4.2 не
контролируется программное
обеспечение, специально
разработанное или
модифицированное для работы
станков, не контролируемых по
пунктам категории 2.
2.5. Технология
2.5.1. Технологии, в соответствии с
общим технологическим
примечанием предназначенные
для разработки оборудования
или программного обеспечения,
контролируемых по пунктам 2.1,
2.2 или 2.4
2.5.2. Технологии, в соответствии с
общим технологическим
примечанием предназначенные
для производства оборудования,
контролируемого по пунктам 2.1
или 2.2
2.5.3. Другие технологии, такие, как:
2.5.3.1. технологии для разработки
интерактивной графики как
интегрирующей части блоков
числового программного
управления для подготовки или
модификации элементов программ
2.5.3.2. нижеперечисленные технологии
производственных процессов
металлообработки:
2.5.3.2.1. технологии проектирования
инструмента, пресс-форм или
зажимных приспособлений,
специально спроектированных
для любого из следующих
процессов:
а) сверхпластического
формования;
б) диффузионного сваривания
или
в) гидравлического
прессования прямого действия;
2.5.3.2.2. технические данные, включающие
параметры или методы
реализации процесса,
перечисленные ниже и
используемые для управления:
а) сверхпластическим
формованием алюминиевых,
титановых сплавов или
суперсплавов:
1) данные о подготовке
поверхности;
2) данные о степени
деформации;
3) температура;
4) давление;
б) диффузионным свариванием
титановых сплавов или
суперсплавов:
1) данные о подготовке
поверхности;
2) температура;
3) давление;
в) гидравлическим прессованием
прямого действия алюминиевых
или титановых сплавов:
1) давление;
2) время цикла;
г) горячей изостатической
модификацией титановых,
алюминиевых сплавов или
суперсплавов:
1) температура;
2) давление;
3) время цикла
2.5.3.3. технологии разработки или
производства гидравлических
вытяжных формовочных машин и
соответствующих матриц для
изготовления конструкций
корпусов летательных аппаратов
2.5.3.4. технологии для разработки
генераторов машинных команд
(т.е. элементов программ) из
проектных данных, находящихся
внутри блоков числового
программного управления
2.5.3.5. технологии для разработки
интегрирующего программного
обеспечения для обобщения
экспертных систем, повышающих
в заводских условиях
операционные возможности
блоков числового программного
управления
2.5.3.6. технологии для применения в
неорганических чисто
поверхностных покрытиях или
неорганических покрытиях с
модификацией поверхности
изделия, отмеченных в графе
"Результирующее покрытие"
нижеследующей таблицы;
неэлектронных слоевых покрытий
(субстратов), отмеченных в
графе "Подложки" нижеследующей
таблицы; процессов, отмеченных
в графе "Наименование процесса
нанесения покрытия"
нижеследующей таблицы и
определенных техническим
примечанием
___________________________________________________________________
____________________________
*) Принадлежность конкретного товара или технологии к товарам и
технологиям, подлежащим экспортному контролю, определяется
соответствием технических характеристик этого товара или технологии
техническому описанию, приведенному в графе "Наименование".
Таблица
к пункту 2.5.3.6
Технические приемы осаждения покрытий
------------------T---------------------T--------------------------
Наименование ¦ Подложки ¦ Результирующее
процесса нанесения¦ ¦ покрытие
покрытия ¦ ¦
------------------+---------------------+--------------------------
1. Химическое алюминиды для
осаждение паров внутренних
каналов
силициды,
карбиды, слои
диэлектриков (15) *)
углерод-углерод, силициды, карбиды,
керамика и тугоплавкие
композиционные металлы, смеси
материалы с перечисленных выше
металлической материалов (4),
матрицей слои диэлектриков
(15), алюминиды,
сплавы алюминидов
(2)
цементированный карбиды, вольфрам,
карбид вольфрама смеси перечисленных
(16), карбид выше материалов
кремния (4), слои
диэлектриков (15)
молибден и его слои диэлектриков
сплавы (15)
бериллий и его слои диэлектриков
сплавы (15)
материалы окон слои диэлектриков
датчиков (9) (15)
2. Физическое
осаждение паров
термовыпариванием
2.1. Физическое суперсплавы сплавы силицидов,
осаждение паров сплавы алюминидов
электронным лучом (2), MCrAlX(5),
модифицированные
виды циркония (12),
силициды,
алюминиды, смеси
перечисленных выше
материалов (4)
керамика и стекла с слои диэлектриков
малым коэффициентом (15)
расширения (14)
коррозиестойкие MCrAlX (5),
стали (7) модифицированные
виды циркония (12),
смеси перечисленных
выше материалов (4)
углерод-углерод, силициды, карбиды,
керамика и тугоплавкие
композиционные металлы, смеси
материалы с перечисленных выше
металлической материалов (4),
матрицей слои диэлектриков
(15)
цементированный карбиды, вольфрам,
карбид вольфрама смеси перечисленных
(16), карбид выше материалов
кремния (4), слои
диэлектриков (15)
молибден и его слои диэлектриков
сплавы (15)
бериллий и его слои диэлектриков
сплавы (15), бориды
материалы окон слои диэлектриков
датчиков (9) (15)
титановые сплавы бориды, нитриды
(13)
2.2. Физическое керамика и стекла с слои диэлектриков
осаждение паров с малым коэффициентом (15)
ионизацией расширения (14)
посредством
резистивного
нагрева (ионное
гальваническое
покрытие)
углерод-углерод, слои диэлектриков
керамика и (15)
композиционные
материалы с
металлической
матрицей
цементированный слои диэлектриков
карбид вольфрама (15)
(16), карбид
кремния
молибден и его слои диэлектриков
сплавы (15)
бериллий и его слои диэлектриков
сплавы (15)
материалы окон слои диэлектриков
датчиков (9) (15)
2.3. Физическое керамика и стекла с силициды, слои
осаждение паров: малым коэффициентом диэлектриков (15)
выпаривание лазером расширения (14)
углерод-углерод, слои диэлектриков
керамика и (15)
композиционные
материалы с
металлической
матрицей
цементированный слои диэлектриков
карбид вольфрама (15)
(16), карбид
кремния
молибден и его слои диэлектриков
сплавы (15)
бериллий и его слои диэлектриков
сплавы (15)
материалы окон слои диэлектриков
датчиков (9) (15),
алмазоподобный
углерод
2.4. Физическое суперсплавы сплавы силицидов,
осаждение паров: сплавы алюминидов
катодный дуговой (2), MCrAlX (5)
разряд
полимеры (11) и бориды, карбиды,
композиционные нитриды
материалы с
органической
матрицей
3. Цементация (10) углерод-углерод, силициды, карбиды,
керамика и смеси перечисленных
композиционные выше материалов (4)
материалы с
металлической
матрицей
сплавы титана (13) силициды,
алюминиды, сплавы
алюминидов (2)
тугоплавкие металлы силициды, оксиды
и сплавы (8)
4. Плазменное суперсплавы MCrAlX (5),
напыление модифицированные
виды циркония (12),
смеси перечисленных
выше материалов
(4), эрозионно
стойкий никель-графит,
эрозионно стойкий
никель-хром-алюминий-
бентонит,
эрозионно стойкий
алюминий-кремний-полиэфир,
сплавы алюминидов (2)
алюминиевые сплавы MCrAlX (5),
(6) модифицированные
виды циркония (12),
силициды, смеси
перечисленных выше
материалов (4)
тугоплавкие металлы алюминиды,
и сплавы (8) силициды, карбиды
коррозиестойкие модифицированные
стали (7) виды циркония (12),
смеси перечисленных
выше материалов (4)
титановые сплавы карбиды, алюминиды,
(13) силициды, сплавы
алюминидов (2),
эрозионно стойкий
никель-графит,
эрозионно стойкий
никель-хром-алюминий-
бентонит,
эрозионно стойкий
алюминий-кремний-полиэфир
5. Осаждение тугоплавкие металлы легкоплавкие
суспензии (шлама) и сплавы (8) силициды,
легкоплавкие
алюминиды (кроме
материалов для
теплостойких
элементов)
углерод-углерод, силициды, карбиды,
керамика и смеси перечисленных
композиционные выше материалов (4)
материалы с
металлической
матрицей
6. Металлизация суперсплавы сплавы силицидов,
распылением сплавы алюминидов
(2), благородные
металлы,
модифицированные
алюминидами (3),
MCrAlX (5),
модифицированные
виды циркония (12),
платина, смеси
перечисленных выше
материалов (4)
керамика и стекла с силициды, платина,
малым коэффициентом смеси перечисленных
расширения (14) выше материалов
(4), слои
диэлектриков (15)
титановые сплавы бориды, нитриды,
(13) оксиды, силициды,
алюминиды, сплавы
алюминидов (2),
карбиды
углерод-углерод, силициды, карбиды,
керамика и тугоплавкие
композиционные металлы, смеси
материалы с перечисленных выше
металлической материалов (4),
матрицей слои диэлектриков
(15)
цементированный карбиды, вольфрам,
карбид вольфрама смеси перечисленных
(16), карбид выше материалов
кремния (4), слои
диэлектриков (15)
молибден и его слои диэлектриков
сплавы (15)
бериллий и его бориды, слои
сплавы диэлектриков (15)
материалы окон слои диэлектриков
датчиков (9) (15)
тугоплавкие металлы алюминиды,
и сплавы (8) силициды, оксиды,
карбиды
7. Ионная высокотемпературные добавки хрома,
имплантация стойкие стали тантала или ниобия
(колумбия - в США)
титановые сплавы бориды, нитриды
(13)
бериллий и его бориды
сплавы
цементированный карбиды, нитриды
карбид вольфрама
(16)
-------------------------------------------------------------------
*) См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий
указанному в скобках.
Примечания к таблице: 1. Процесс нанесения покрытия включает
как нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление
существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или
многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или
элементы осаждается покрытие до или в течение процесса
алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с
помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное
использование одношагового процесса пакетной цементации для
получения сплавов алюминидов.
3. Покрытие благородными металлами, модифицированными
алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором
благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо
другим процессом до применения метода нанесения алюминида.
4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции,
выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые
материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов
нанесения покрытий, изложенных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M
эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X
эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или
другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в
различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома,
менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия или
б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22-24% (по весу) хрома, 10-12%
(по весу) алюминия и 0,5-0,7% (по весу) иттрия или
в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21-23% (по весу) хрома, 10-12%
(по весу) алюминия и 0,9-1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с
предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более,
измеренным при температуре 293 K (20°C).
7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям,
удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа
и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300
различным показателям или требованиям соответствующих национальных
стандартов для сталей.
8. К тугоплавким металлам относятся следующие металлы и их
сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия),
кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия,
некоторые галогениды металлов (иодистый калий, фтористый калий), а
окон датчиков диаметром более 40 мм - бромистый таллий и
хлоробромистый таллий.
10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых
профилей крыльев не подвергается ограничению по категории 2.
11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид,
поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с
внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как
оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в
соответствии с условиями стабильности определенных
кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из
циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом
смешения или расплава, не контролируются.
13. Титановые сплавы определяются как аэрокосмические сплавы с
предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более,
измеренным при 293 K (20°C).
14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как
стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 10E--7 КE-1
или менее, измеренный при 293 K (20°C).
15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным
изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства
конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что
используется для отражения, передачи или поглощения различных
волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из
четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик
- металл.
16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы,
применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида
вольфрама/(кобальт-никель), карбида титана/(кобальт-никель), карбида
хрома/(никель-хром) и карбида хрома/никель.
Технические примечания к таблице: Процессы, представленные в
графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются
следующим образом.
1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой
поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал,
диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные
реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в
результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или
компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции
может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом
или лучом лазера.
Особые примечания: а) химическое осаждение паров включает
следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым
потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое
термическое осаждение с образованием центров кристаллизации, с
применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с
участием плазмы;
б) пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких
составляющих;
в) газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в
беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и
параметрами, такими, как пакетная цементация, кроме случая, когда на
изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.
2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством
резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме
с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии
используется для превращения в пар наносимого материала. В
результате процесса конденсат или покрытие осаждается на
соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной
камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве
модификаций процесса элементами сложного состава покрытия.
Использование ионного или электронного излучения или плазмы для
активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также
свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения
паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение
мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических
характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем.
Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством
резистивного нагрева заключается в следующем:
а) при электронно-лучевом физическом осаждении для нагревания и
испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный
луч;
б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве
источника тепла, способного обеспечить контролируемый и равномерный
(однородный) поток паров материала покрытия, используется
электрическое сопротивление;
в) при выпаривании лазером для нагрева материала, который
формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный
луч;
г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве
материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд
дуги на поверхности катода после моментального контакта с
заземленным пусковым устройством (триггером), используется
расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода
приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть
коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или
сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления
нанесением изоляции используются изделия с регулированием их
положения.
Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не
относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с
фиксированным положением изделия.
3. Ионная имплантация - специальная модификация генерального
процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для
ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение
(заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из
плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в
камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в
процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины
покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического
осаждения паров термовыпариванием.
4. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия
на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда
изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет),
которая состоит из:
а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия
(обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль) и
в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия).
Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры),
которая нагревается от 1030 K (757°C) до 1375 K (1102°C) на время,
достаточное для нанесения покрытия.
5. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего
покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой
образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из
материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где
формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление
может быть основано на осуществляемом под водой напылении плазмой
низкого давления или высокоскоростной плазмой.
Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже
атмосферного;
б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе
сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при
температуре 293 K (20°C) и давлении 0,1 МПа.
6. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия
с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия,
когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим,
суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством
напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной
сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств
покрытия.
7. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества
движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле
по направлению к поверхности мишени (материала покрытия).
Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на
поверхности мишени требуемого покрытия.
Особые примечания: а) в таблице приведены сведения только о
триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением,
которая применяется для увеличения адгезии материала покрытия и
скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления,
используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов
покрытий;
б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 кэВ) могут быть
использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения
покрытия.
8. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с
модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав)
ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала,
и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с
ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная
имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания
электронным лучом или металлизации распылением.
Техническая терминология, используемая в таблице технических
приемов осаждения покрытий
Подразумевается, что следующая техническая информация,
относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий,
используется при необходимости.
1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной
обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:
1.1.1. Состав раствора для ванны:
1.1.1.1. для удаления старых или поврежденных покрытий,
продуктов коррозии или инородных отложений
1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек
1.1.2. Время обработки в ванне
1.1.3. Температура в ванне
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения
величины чистящей дозы
1.3. Параметры циклов горячей обработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. состав атмосферы
1.3.1.2. атмосферное давление
1.3.2. Температура для горячей обработки
1.3.3. Продолжительность горячей обработки
1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:
1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:
1.4.1.1. состав песка
1.4.1.2. размеры и форма частиц песка
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26
|
