|
Страница 16
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26
для преобразования в цифровую
запись высокой плотности и
предназначенные для записи
только цифровых данных.
3.1.2.1.4. аппаратура с максимальной 852190000
пропускной способностью
цифрового интерфейса свыше 175
Мбит/с, спроектированная в целях
переделки цифровых
видеомагнитофонов для
использования их как устройств
записи данных цифровой
аппаратуры
3.1.2.1.5. приборы для преобразования 854380900
сигналов в цифровую форму и
записи переходных процессов,
имеющие все следующие
характеристики:
а) скорость преобразования в
цифровую форму не менее 200 млн.
проб в секунду и разрешение 10
или более проб в секунду и
б) пропускную способность не
менее 2 Гбит/с
Техническое примечание. Для
таких приборов с архитектурой на
параллельной шине пропускная
способность есть произведение
наибольшего объема слов на
количество бит в слове.
Пропускная способность - это
наивысшая скорость передачи
данных аппаратуры, с которой
информация поступает в
запоминающее устройство без
потерь при сохранении скорости
выборки и аналого-цифрового
преобразования.
3.1.2.2. электронные сборки синтезаторов 854380900
частоты, имеющие время
переключения с одной заданной
частоты на другую менее 1 мс
3.1.2.3. анализаторы сигналов: 854380900
а) способные анализировать
частоты, превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы
сигналов с полосой пропускания в
реальном масштабе времени,
превышающей 25,6 кГц
Примечание. По подпункту "б"
пункта 3.1.2.3 не контролируются
динамические анализаторы
сигналов, использующие только
фильтры с полосой пропускания
фиксированных долей.
Техническое примечание. Фильтры
с полосой пропускания
фиксированных долей известны
также как октавные или
дробнооктавные фильтры.
3.1.2.4. генераторы сигналов 854320000
синтезированных частот,
формирующие выходные частоты с
управлением по параметрам
точности, кратковременной и
долговременной стабильности на
основе или с помощью внутренней
эталонной частоты, имеющие любую
из следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую
частоту более 31 ГГц;
б) время переключения с одной
заданной частоты на другую менее
1 мс или
в) фазовый шум одной боковой
полосы лучше - (126+20 lgF - 20
lgf) в единицах дБ.с/Гц, где F
- смещение рабочей частоты в Гц;
f - рабочая частота в МГц
Примечание. По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в
которой выходная частота
создается либо путем сложения
или вычитания частот с двух или
более кварцевых генераторов,
либо путем сложения или
вычитания с последующим
умножением результирующей
частоты.
3.1.2.5. сетевые анализаторы с 854380900
максимальной рабочей частотой,
превышающей 40 ГГц
3.1.2.6. микроволновые приемники-тестеры, 852790990
имеющие все следующие
характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 40 ГГц и
б) способные одновременно
измерять амплитуду и фазу
3.1.2.7. атомные эталоны частоты, имеющие 854320000
любую из следующих
характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) менее (лучше) 10E--11
в месяц или
б) годные для применения в
космосе
Примечание. По подпункту "а"
пункта 3.1.2.7 не контролируются
рубидиевые стандарты, не
предназначенные для космического
применения.
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование
для производства
полупроводниковых приборов или
материалов и специально
разработанные компоненты и
оснастка для них:
3.2.1.1. установки, управляемые
встроенной программой,
предназначенные для
эпитаксиального выращивания,
такие, как:
3.2.1.1.1. установки, способные выдерживать 841989900
толщину слоя с отклонением не
более +-2,5% на протяжении 75 мм
или более
3.2.1.1.2. установки химического осаждения 841989900
паров металлорганических
соединений, специально
разработанные для выращивания
кристаллов сложных
полупроводников с помощью
химических реакций между
материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3
или 3.3.4
3.2.1.1.3. молекулярно-лучевые установки 841780100
эпитаксиального выращивания,
использующие газовые источники
3.2.1.2. установки, управляемые 845610000
встроенной программой,
специально предназначенные для
ионной имплантации, имеющие
любую из следующих
характеристик:
а) ускоряющее напряжение свыше
200 кэВ;
б) специально спроектированные и
оптимизированные для работы с
ускоряющими напряжениями ниже 10
кэВ;
в) обладающие способностью
непосредственной записи или
г) пригодные для
высокоэнергетической имплантации
кислорода в нагретую подложку
полупроводникового материала
3.2.1.3. установки сухого травления 845690000
анизотропной плазмой,
управляемые встроенной
программой:
а) с покассетной обработкой
пластин и загрузкой через
загрузочные шлюзы, имеющие любую
из следующих характеристик:
1) магнитную защиту или
2) электронный циклотронный
резонанс
б) специально спроектированные
для оборудования,
контролируемого по пункту
3.2.1.5, и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту или
2) электронный циклотронный
резонанс
3.2.1.4. установки химического 845690000
парофазового осаждения и
плазменной стимуляции,
управляемые встроенной
программой:
а) с покассетной обработкой
пластин и загрузкой через
загрузочные шлюзы, имеющие любую
из следующих характеристик:
1) магнитную защиту или
2) электронный циклотронный
резонанс;
б) специально спроектированные
для оборудования,
контролируемого по пункту
3.2.1.5, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту или
2) электронный циклотронный
резонанс
3.2.1.5. управляемые встроенной 845610000;
программой автоматически 845690000
загружаемые многокамерные
системы с центральной загрузкой
пластин, имеющие все следующие
составляющие:
а) интерфейсы для загрузки и
выгрузки пластин, к которым
присоединяется более двух единиц
оборудования для обработки
полупроводников, и
б) предназначенные для
интегрированной системы
последовательной
многопозиционной обработки
пластин в вакуумной среде
Примечание. По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робото-технические системы
загрузки пластин, не
предназначенные для работы в
вакууме.
3.2.1.6. установки литографии,
управляемые встроенной
программой, такие, как:
3.2.1.6.1. установки многократного 900922900
совмещения и экспонирования для
обработки пластин методом
фотооптической или рентгеновской
литографии, имеющие любую из
следующих составляющих:
а) источник света с длиной волны
короче 400 нм или
б) способность воспроизводить
рисунок с минимальным размером
разрешения от 0,7 мкм и менее
Примечание. Минимальный размер
разрешения (МРР) рассчитывается
по следующей формуле:
(экспозиция источника освещения с
длиной волны в мкм) х (К-фактор)
МРР=-----------------------------,
цифровая апертура
где К - фактор = 0,7.
3.2.1.6.2. установки, специально 845610000
спроектированные для
производства шаблонов или
обработки полупроводниковых
приборов с использованием
отклоняемого фокусируемого
электронного луча, пучка ионов
или лазерного луча, имеющие
любую из следующих
характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить
рисунок с минимальными
разрешенными проектными нормами
менее 1 мкм или
в) точность совмещения лучше
+-0,20 мкм (3 сигма)
3.2.1.7. шаблоны или промежуточные
фотошаблоны, разработанные для
интегральных схем,
контролируемых по пункту 3.1.1
3.2.1.8. многослойные шаблоны с 901090000
фазосдвигающим слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний,
управляемая встроенной
программой, специально
спроектированная для испытания
готовых или находящихся в разной
степени изготовления
полупроводниковых приборов, и
специально спроектированные
компоненты и приспособления для
нее:
3.2.2.1. для измерения S-параметров 903180390
транзисторных приборов на
частотах свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. для испытаний интегральных схем, 903180390
способная выполнять
функциональное тестирование (по
таблицам истинности) с частотой
тестирования строк более 60 МГц
Примечание. По пункту 3.2.2.2 не
контролируется аппаратура
испытаний, специально
спроектированная для испытаний:
а) электронных сборок или класса
электронных сборок для бытовой
или игровой электронной
аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок
или интегральных схем.
3.2.2.3. для испытаний микроволновых 903180390
интегральных схем на частотах,
превышающих 3 ГГц
Примечание. По пункту 3.2.2.3 не
контролируется аппаратура
испытаний, специально
спроектированная для испытания
микроволновых интегральных
микросхем для оборудования,
предназначенного или пригодного
по техническим условиям для
работы в стандартном диапазоне
частот, установленном
Международным союзом
электросвязи, с частотами, не
превышающими 31 ГГц.
3.2.2.4. электронно-лучевые системы, 903180390
спроектированные для работы на
уровне 3 кэВ или менее, или
лазерные лучевые системы для
бесконтактного зондирования
запитанных полупроводниковых
приборов, имеющие все следующие
составляющие:
а) стробоскопический режим либо
с затенением луча, либо с
детекторным стробированием и
б) электронный спектрометр для
замера напряжений менее 0,5 В
Примечание. По пункту 3.2.2.4 не
контролируются сканирующие
электронные микроскопы, кроме
тех, которые специально
спроектированы и оснащены для
бесконтактного зондирования
запитанных полупроводниковых
приборов.
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы,
состоящие из подложки с
несколькими последовательно
наращенными эпитаксиальными
слоями, имеющими любую из
следующих составляющих:
3.3.1.1. кремний 381800900
3.3.1.2. германий или 381800900
3.3.1.3. соединения III/V на основе 381800900
галлия или индия
Техническое примечание.
Соединения III/V - это
поликристаллические или
двухэлементные или сложные
монокристаллические продукты,
состоящие из элементов групп
IIIA и VA периодической системы
Менделеева (по отечественной
классификации это группы A3 и
B5) (арсенид галлия,
алюмоарсенид галлия, фосфид
индия и т.п.).
3.3.2. Материалы резистов и подложки,
покрытые контролируемыми
резистами, такие, как:
3.3.2.1. позитивные резисты, 854140990
предназначенные для
полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для
использования на спектральную
чувствительность менее 370 нм
3.3.2.2. все резисты, предназначенные для 854140990
использования при экспонировании
электронными или ионными
пучками, с чувствительностью
0,01 мкКл/кв.мм или лучше
3.3.2.3. все резисты, предназначенные для 854150990
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм
или лучше
3.3.2.4. все резисты, оптимизированные 854140990
под технологии формирования
рисунка, включая силицированные
резисты
Техническое примечание. Методы
силицирования - это процессы,
включающие оксидирование
поверхности резиста, для
повышения качества мокрого и
сухого проявления.
3.3.3. Органо-неорганические компаунды,
такие, как:
3.3.3.1. органо-металлические соединения 293100900
на основе алюминия, галлия или
индия с чистотой металлической
основы свыше 99,999%
3.3.3.2. органо-мышьяковистые, 293100900
органо-сурьмянистые и
органо-фосфорные
соединения с чистотой
органической элементной основы
свыше 99,999%
Примечание. По пункту 3.3.3
контролируются только
соединения, чей металлический,
частично металлический или
неметаллический элемент
непосредственно связан с углеродом
в органической части молекулы.
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 284890000;
сурьмы, имеющие чистоту свыше 285000100
99,999% даже после растворения
в инертных газах или водороде
Примечание. По пункту 3.3.4 не
контролируются гидриды,
содержащие 20% и более молей
инертных газов или водорода.
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение,
специально созданное для
разработки или производства
оборудования, контролируемого по
пунктам 3.1.1.2-3.1.2.7 или
по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение,
специально созданное для
применения в оборудовании,
управляемом встроенной
программой и контролируемом по
пункту 3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного
проектирования (САПР),
предназначенное для
полупроводниковых приборов или
интегральных схем, имеющее любую
из следующих составляющих:
3.4.3.1. правила проектирования или
правила проверки (верификации)
схем
3.4.3.2. моделирование схем по их
физической топологии или
3.4.3.3. имитаторы литографических
процессов для проектирования
Техническое примечание. Имитатор
литографических процессов - это
пакет программного обеспечения,
используемый на этапе
проектирования для определения
последовательности операций
литографии, травления и
осаждения в целях воплощения
маскирующих шаблонов в
конкретные топологические
рисунки проводников,
диэлектриков или
полупроводникового материала.
Примечание. По пункту 3.4.3 не
контролируется программное
обеспечение, специально
созданное для описания
принципиальных схем, логического
моделирования, раскладки и
маршрутизации (трассировки),
проверки топологии или
размножения шаблонов.
Особое примечание. Библиотеки,
проектные атрибуты или
сопутствующие данные для
проектирования полупроводниковых
приборов или интегральных схем
рассматриваются как технология.
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с
общим технологическим
примечанием предназначенные для
разработки или производства
оборудования или материалов,
контролируемых по пунктам 3.1,
3.2 или 3.5
Примечание: По пункту 3.5.1 не
контролируются технологии
разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31
ГГц;
б) интегральных схем,
контролируемых по пунктам
3.1.1.1.3-3.1.1.1.12, имеющих
оба нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы
1 мкм или выше и
2) не содержащие многослойных
структур.
Особое примечание. Термин
"многослойные структуры" в
подпункте 2 пункта "б"
примечания не включает приборы,
содержащие максимум два
металлических слоя и два слоя
поликремния.
3.5.2. Прочие технологии для разработки
или производства:
а) вакуумных микроэлектронных
приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких, как
транзисторы с высокой
подвижностью электронов,
биполярных транзисторов на
гетероструктуре, приборов с
квантовыми ямами или приборов на
сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек пленок алмаза для
электронных компонентов
Категория 4. Вычислительная техника
Примечания: 1. ЭВМ,
сопутствующее оборудование или
программное обеспечение,
задействованные в
телекоммуникациях или локальных
вычислительных сетях, должны
быть также проанализированы на
соответствие характеристикам,
указанным в части 1 категории 5
(Телекоммуникации).
Особые примечания: а) устройства
управления, которые
непосредственно связывают шины
или каналы центральных
процессоров, оперативную память
или контроллеры накопителей на
магнитных дисках, не входят в
понятие телекоммуникационной
аппаратуры, рассматриваемой в
части 1 категории 5
(Телекоммуникации);
б) для определения контрольного
статуса программного
обеспечения, которое специально
создано для коммутации пакетов,
следует использовать пункт 5.4.1.
2. ЭВМ, сопутствующее
оборудование или программное
обеспечение, выполняющие функции
криптографии, криптоанализа,
сертифицируемой многоуровневой
защиты информации или
сертифицируемые функции изоляции
пользователей либо
ограничивающие электромагнитную
совместимость (ЭМС), должны быть
также проанализированы на
соответствие характеристикам,
указанным в части 2 категории 5
(Защита информации).
4.1. Системы, оборудование и
компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и
сопутствующее оборудование, а
также электронные сборки и
специально разработанные для них
компоненты:
4.1.1.1. специально созданные для 847110;
достижения любой из следующих 847120
характеристик:
а) по техническим условиям
пригодные для работы при
температуре внешней среды ниже
228 K (-45°C) или выше
358 K (85°C)
Примечание. По подпункту "а"
пункта 4.1.1.1 не контролируются
ЭВМ, специально созданные для
гражданских автомобилей или
железнодорожных поездов.
б) радиационно стойкие,
превышающие любое из следующих
требований:
1) поглощенная доза 5 х 10E-3 Гр
(кремний) [5 х 10E-5 рад
(кремний)];
2) мощность дозы на сбой
5 х 10E-6 Гр/с (кремний) [5 х 10E-8
рад (кремний)]/с или
3) сбой от высокоэнергетической
частицы 10E--7 ошибок/бит/день
4.1.1.2. имеющие характеристики или 847110;
функциональные особенности, 847120
превосходящие пределы, указанные
в части 2 категории 5 (Защита
информации)
4.1.2. Гибридные ЭВМ, электронные 847110
сборки и специально
разработанные для них
компоненты:
а) имеющие в своем составе
цифровые ЭВМ, которые
контролируются по пункту 4.1.3;
б) имеющие в своем составе
аналого-цифровые
преобразователи, обладающие
всеми следующими
характеристиками:
1) 32 каналами или более и
2) разрешающей способностью 14
бит (плюс знаковый разряд) или
выше со скоростью 200000
преобразований в секунду или
выше
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки
и сопутствующее оборудование, а
также специально разработанные
для них компоненты, такие, как:
Примечания: 1. Пункт 4.1.3
включает:
а) векторные процессоры;
б) матричные процессоры;
в) цифровые центральные
процессоры;
г) логические процессоры;
д) оборудование для улучшения
качества изображения;
е) оборудование для обработки
сигналов.
2. Контрольный статус
цифровых ЭВМ или сопутствующего
оборудования, описанных в пункте
4.1.3, определяется контрольным
статусом другого оборудования
или других систем в том случае,
если:
а) цифровые ЭВМ или
сопутствующее оборудование
необходимы для работы другого
оборудования или других систем;
б) цифровые ЭВМ или
сопутствующее оборудование не
являются основным элементом
другого оборудования или других
систем; и
в) технология для цифровых ЭВМ и
сопутствующего оборудования
подпадает под действие пункта
4.5.
Особые примечания: 1.
Контрольный статус оборудования
обработки сигналов или улучшения
качества изображения, специально
спроектированного для другого
оборудования с функциями,
ограниченными функциональным
назначением другого
оборудования, определяется
контрольным статусом другого
оборудования, даже если первое
соответствует критерию основного
элемента.
2. Для определения контрольного
статуса цифровых ЭВМ или
сопутствующего оборудования для
телекоммуникационной аппаратуры
см. часть 1 категории 5
(Телекоммуникации).
4.1.3.1. спроектированные или 8471
модифицированные для обеспечения (кроме
отказоустойчивости 847110)
Примечание. Применительно к
пункту 4.1.3.1 цифровые ЭВМ и
сопутствующее оборудование не
считаются спроектированными или
модифицированными для
обеспечения отказоустойчивости,
если в них используется любое из
следующего:
а) алгоритмы обнаружения или
исправления ошибок, хранимые в
оперативной памяти;
б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ
такая, что если активный
центральный процессор
отказывает, ждущий, но
отслеживающий центральный
процессор может продолжить
функционирование системы;
в) взаимосвязь двух центральных
процессоров посредством каналов
передачи данных или с
применением общей памяти, чтобы
обеспечить одному центральному
процессору возможность выполнять
другую работу, пока не откажет
второй центральный процессор,
тогда первый центральный
процессор принимает его работу
на себя, чтобы продолжить
функционирование системы, или
г) синхронизация двух
центральных процессоров,
объединенных посредством
программного обеспечения так,
что один центральный процессор
распознает, когда отказывает
другой центральный процессор, и
восстанавливает задачи
отказавшего устройства.
4.1.3.2. цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (кроме
(СТП) свыше 2000 Мтопс 847110)
4.1.3.3. электронные сборки, специально 8471
спроектированные или (кроме
модифицированные для повышения 847110)
производительности путем
объединения вычислительных
элементов таким образом, чтобы
совокупная теоретическая
производительность объединенных
сборок превышала пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2
Примечания: 1. Пункт 4.1.3.3
распространяется только на
электронные сборки и
программируемые взаимосвязи, не
превышающие пределы, указанные в
пункте 4.1.3.2, при поставке в
виде необъединенных электронных
сборок. Он не применим к
электронным сборкам, конструкция
которых пригодна только для
использования в качестве
сопутствующего оборудования,
контролируемого по пунктам
4.1.3.4, 4.1.3.5 или 4.1.3.6.
2. По пункту 4.1.3.3 не
контролируются электронные
сборки, специально
спроектированные для продукции
или целого семейства продукции,
максимальная конфигурация
которых не превышает пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2.
4.1.3.4. графические акселераторы или 854380900
графические сопроцессоры,
превышающие скорость исчисления
трехмерных векторов, равную
3000000
4.1.3.5. оборудование, выполняющее 852520900
аналого-цифровые преобразования,
превосходящее пределы, указанные
в пункте 3.1.1.1.5
4.1.3.6. оборудование, содержащее 847199900
терминальный интерфейс,
превосходящий пределы, указанные
в пункте 5.1.1.2.3
Примечание. Применительно к
пункту 4.1.3.6 оборудование
терминального интерфейса
включает интерфейсы локальных
вычислительных сетей и другие
коммуникационные интерфейсы.
Интерфейсы локальных
вычислительных сетей оцениваются
как контроллеры доступа к сети.
4.1.3.7. аппаратура, специально 847199900
разработанная для обеспечения
экстернальной интерконнекции
цифровых компьютеров или
сопутствующего оборудования,
которые в коммуникациях имеют
скорость передачи данных свыше
80 Мбайт/с
Примечание. По пункту 4.1.3.7 не
контролируется внешняя
интерконнекция оборудования
(например, видимый план, шины)
или пассивное интерконнекторное
оборудование.
4.1.4. Нижеперечисленные ЭВМ, 8471
специально спроектированное
сопутствующее оборудование,
электронные сборки и компоненты
для них:
4.1.4.1. ЭВМ с систолической матрицей
4.1.4.2. нейронные ЭВМ
4.1.4.3. оптические ЭВМ
4.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование -
нет
4.3. Материалы - нет
4.4. Программное обеспечение
Примечание. Контрольный статус
программного обеспечения для
разработки, производства или
использования оборудования,
указанного в других категориях,
определяется по описанию
соответствующей категории. В
данной категории дается
контрольный статус программного
обеспечения для оборудования
этой категории.
4.4.1. Программное обеспечение,
специально спроектированное или
модифицированное для разработки,
производства или использования
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по
пункту 4.1 или 4.4
4.4.2. программное обеспечение,
специально спроектированное или
модифицированное для поддержки
технологии, контролируемой по
пункту 4.5
4.4.3. Специальное программное
обеспечение, такое, как:
4.4.3.1. программное обеспечение
операционных систем,
инструментарий разработки
программного обеспечения и
компиляторы, специально
разработанные для оборудования
многопоточной обработки данных в
исходных кодах
4.4.3.2. экспертные системы или
программное обеспечение для
механизмов логического вывода
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26
|
