|
Страница 14
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27
сложные программируемые логические
устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем
вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем
логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем
межсоединения (ППМС);
Особое примечание. Программируемые
пользователем логические устройства
также известны как программируемые
пользователем вентильные или
программируемые пользователем
логические матрицы.
3.1.1.1.9. Интегральные схемы для 8542
нейронных сетей;
3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, 8542 13 720;
у которых функция неизвестна 8542 14 600;
либо производителю неизвестно, 8542 19 720;
распространяется ли контрольный 8542 30;
статус на аппаратуру, в которой 8542 40
будут использоваться данные
интегральные схемы, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) свыше 208 выводов;
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,35 нс;
или
в) рабочую частоту, превышающую
3 ГГц;
3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, 8542
отличающиеся от указанных в
пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.10
и 3.1.1.1.12, созданные на основе
какого-либо полупроводникового
соединения и имеющие любую
из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 3000 (в пересчете на
двухвходовые); или
б) частоту переключения,
превышающую 1,2 ГГц;
3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования 8542 13 55;
Фурье, имеющие любую из следующих 8542 13 610;
характеристик: 8542 13 630;
а) расчетное время выполнения 8542 13 650;
комплексного 1024-точечного 8542 13 670;
быстрого преобразования Фурье менее 8542 13 690;
1 мс; 8542 14 300;
б) расчетное время выполнения 8542 14 420;
комплексного N-точечного сложного 8542 14 440;
быстрого преобразования Фурье, 8542 19 550;
отличного от 1024-точечного, менее 8542 19 620;
чем Nlog2N/10240 мс, где N - число 8542 19 680;
точек; или 8542 40 100
в) производительность алгоритма
"бабочка" более 5,12 МГц;
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона, такие как:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные
вакуумные лампы и катоды:
Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не
контролируются лампы, разработанные
или спроектированные для работы
в стандартном диапазоне частот,
установленном Международным союзом
электросвязи, с частотами,
не превышающими 31 ГГц.
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540 79 000
непрерывного действия, такие как:
а) работающие на частотах,
превышающих 31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода
со временем от включения до выхода
лампы на предельную радиочастотную
мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами
или их модификации с мгновенной
шириной полосы частот более 7% или
пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их
модификации, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) мгновенную ширину полосы более
одной октавы и произведение средней
мощности (выраженной в кВт) на
рабочую частоту (выраженную в ГГц)
более 0,5;
2) мгновенную ширину полосы в одну
октаву или менее и произведение
средней мощности (выраженной в кВт)
на рабочую частоту (выраженную в
ГГц) более 1; или
3) годные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. Лампы - усилители магнетронного 8540 71 000
типа с коэффициентом усиления более
17 дБ;
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540 99 000
разработанные для электронных ламп,
имеющих плотность тока при
непрерывной эмиссии и штатных
условиях функционирования,
превышающую 5 А/кв.см;
3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные 8542 30;
схемы или модули, 8542 40;
а) содержащие твердотельные 8542 50 000
интегральные схемы;
б) работающие на частотах выше
3 ГГц";
Примечание. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируются схемы или модули
оборудования, спроектированного для
работы в стандартном диапазоне
частот, установленном Международным
союзом электросвязи, не превышающем
31 ГГц.
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 8541 21;
предназначенные для работы на 8541 29
частотах, превышающих 31 ГГц;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные 8543 89 900
усилители, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) работающие на частотах свыше
10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину
полосы частот более пол-октавы;
б) работающие на частотах свыше
31 ГГц;
3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или 8543 89 900
магнитной настройкой, содержащие
более пяти настраиваемых
резонаторов, обеспечивающих
настройку в полосе частот с
соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5:1 (fmax/fmin)
менее чем за 10 мкс, имеющие
любую из следующих составляющих:
а) полосовые фильтры, имеющие полосу
пропускания частоты более 0,5% от
резонансной частоты; или
б) заградительные фильтры, имеющие
полосу подавления частоты менее 0,5%
от резонансной частоты;
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 8542 50 000
работать на частотах, превышающих
31 ГГц;
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 8543 89 900
разработанные для расширения
частотного диапазона аппаратуры,
указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5
или 3.1.2.6;
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности 8543 89 900
СВЧ, содержащие лампы,
контролируемые по пункту 3.1.1.2, и
имеющие все следующие
характеристики:
а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;
б) среднюю плотность выходной
мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб.см
Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не
контролируется аппаратура,
разработанная или пригодная для
работы на стандартных частотах,
установленных Международным союзом
электросвязи.
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально спроектированные для них
компоненты, такие как:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных 8541 60 000
акустических волнах и на
акустических волнах в тонкой
подложке (т.е. приборы для обработки
сигналов, использующие упругие волны
в материале), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) несущую частоту более 2,5 ГГц;
или
б) несущую частоту более 1 ГГц, но
не превышающую 2,5 ГГц, и
дополнительно имеющие любую
из следующих характеристик:
1) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ;
2) произведение максимального
времени задержки (в мкс) на ширину
полосы частот (в МГц) более 100;
3) ширину полосы частот более
250 МГц; или
4) задержку рассеяния, превышающую
10 мкс; или
в) несущую частоту от 1 ГГц и менее
и дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
1) произведение максимального
времени задержки (в мкс) на ширину
полосы частот (в МГц) более 100;
2) задержку рассеяния, превышающую
10 мкс; или
3) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ и ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541 60 000
волнах (т.е. приборы для обработки
сигналов, использующие упругие волны
в материале), обеспечивающие
непосредственную обработку сигналов
на частотах свыше 1 ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 8541 60 000
сигналов, использующие
взаимодействие между акустическими
волнами (объемными или
поверхностными) и световыми волнами,
что позволяет непосредственно
обрабатывать сигналы или
изображения, включая анализ спектра,
корреляцию или свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540;
содержащие компоненты, изготовленные 8541;
из сверхпроводящих материалов, 8542;
специально спроектированные 8543
для работы при температурах
ниже критической температуры
хотя бы одной из сверхпроводящих
составляющих, имеющие хотя
бы один из следующих признаков:
а) исключен. - приказ ГТК РФ от
18.10.2000 № 937
(см.текст в предыдущей редакции)
а) токовые переключатели для
цифровых схем, использующие
сверхпроводящие вентили, у
которых произведение времени
задержки на вентиль (в секундах) на
рассеяние мощности на вентиль (в
ваттах) ниже 1E(-14) Дж; или
б) селекцию частоты на всех
частотах с использованием
резонансных контуров с
добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители
энергии:
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на 8506;
фотоэлектрических элементах, 8507;
такие как: 8541 40 910
а) первичные элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг
и пригодные по техническим условиям
для работы в диапазоне температур
от 243 K (-30°C) и ниже до 343 K
(70°C) и выше;
Техническое примечание. Плотность
энергии определяется путем умножения
средней мощности в ваттах
(произведение среднего напряжения в
вольтах на средний ток в амперах) на
длительность цикла разряда в часах,
при котором напряжение на
разомкнутых клеммах падает до 75% от
номинала, и деления полученного
произведения на общую массу элемента
(или батареи) в кг.
б) подзаряжаемые элементы и батареи
с плотностью энергии свыше
150 Вт.ч/кг после 75 циклов
заряда-разряда при токе разряда,
равном С/5 ч (С - номинальная
емкость в ампер-часах), при работе в
диапазоне температур от 253 K
(-20°C) и ниже до 333 K (60°C) и
выше;
в) батареи, по техническим условиям
годные для применения в космосе, и
радиационно стойкие батареи на
фотоэлектрических элементах с
удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м
при рабочей температуре 301 K (28°C)
и вольфрамовом источнике, нагретом
до 2800 K (2527°C) и создающем
энергетическую освещенность
1 кВт/кв.м;
Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не
контролируются батареи объемом
27 куб.см и меньше (например,
стандартные угольные элементы или
батареи типа R14).
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, 8506;
такие как: 8507;
а) накопители с частотой повторения 8532
менее 10 Гц (одноразовые
накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
3) общую энергию 25 кДж или более;
б) накопители с частотой повторения
10 Гц и более (многоразовые
накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не менее
5 кВ;
2) плотность энергии не менее
50 Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж; и
4) количество циклов заряда-разряда
не менее 10000;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 8505 19 900
соленоиды, специально
спроектированные на полный заряд или
разряд менее чем за одну секунду,
имеющие все нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую
секунду;
б) внутренний диаметр токопроводящих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию
свыше 8 Т или суммарную плотность
тока в обмотке больше 300 А/кв.мм
Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не
контролируются сверхпроводящие
электромагниты или соленоиды,
специально спроектированные для
медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии.
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи 9031 80 310
абсолютного углового положения вала
в код, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от
полного диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +-2,5 угл.с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и
специально разработанная
измерительная магнитная лента
для нее, такие как:
3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 8520 39 900;
аналоговой аппаратуры, включая 8520 90 900;
аппаратуру с возможностью записи 8521 10 300;
цифровых сигналов (например, 8521 10 800
использующие модуль цифровой записи
высокой плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц
на электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц
на электронный канал или дорожку,
при числе дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную)
временной шкалы, измеренную по
методикам соответствующих
руководящих материалов
Межведомственного совета по
радиопромышленности (IRIG)
или Ассоциации электронной
промышленности (EIA), менее
+-0,1 мкс;
Примечание. Аналоговые
видеомагнитофоны, специально
разработанные для гражданского
применения, не рассматриваются как
записывающая аппаратура.
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, 8521 10;
имеющие максимальную пропускную 8521 90 000
способность цифрового интерфейса
свыше 360 Мбит/с;
Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не
контролируются цифровые
видеомагнитофоны, специально
спроектированные для телевизионной
записи, использующие формат сигнала,
который может включать сжатие
формата сигнала, стандартизированный
или рекомендуемый для применения
в гражданском телевидении
Международным союзом электросвязи,
Международной электротехнической
комиссией, Организацией инженеров по
развитию кино и телевидения,
Европейским союзом радиовещания или
Институтом инженеров по
электротехнике и радиоэлектронике;
3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для 8521 10
цифровой аппаратуры, использующие
принципы спирального сканирования
или принципы фиксированной головки и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную пропускную
способность цифрового интерфейса
более 175 Мбит/с; или
б) годные для применения в космосе;
Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не
контролируются аналоговые накопители
на магнитной ленте, оснащенные
электронными блоками для
преобразования в цифровую запись
высокой плотности и предназначенные
для записи только цифровых данных.
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной 8521 90 000
пропускной способностью цифрового
интерфейса свыше 175 Мбит/с,
спроектированная в целях переделки
цифровых видеомагнитофонов для
использования их как устройств
записи данных цифровой аппаратуры;
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования 8543 89 900
сигналов в цифровую форму и записи
переходных процессов, имеющие все
следующие характеристики:
а) скорость преобразования в
цифровую форму не менее 200 млн.проб
в секунду и разрешение 10 или более
проб в секунду; и
б) пропускную способность не менее
2 Гбит/с;
Техническое примечание. Для таких
приборов с архитектурой на
параллельной шине пропускная
способность есть произведение
наибольшего объема слов на
количество бит в слове. Пропускная
способность - это наивысшая
скорость передачи данных аппаратуры,
с которой информация поступает в
запоминающее устройство без
потерь при сохранении скорости
выборки и аналого-цифрового
преобразования.
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 8543 20 000
частоты, имеющие время переключения
с одной заданной частоты на
другую менее 1 мс;
3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 9030 83 900;
а) способные анализировать частоты, 9030 89 920
превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы сигналов
с полосой пропускания в реальном
времени, превышающей 25,6 кГц;
Примечание. По подпункту "б" пункта
3.1.2.3 не контролируются
динамические анализаторы сигналов,
использующие только фильтры
с полосой пропускания фиксированных
долей (известны также как октавные
или дробно-октавные фильтры).
3.1.2.4. Генераторы сигналов 8543 20 000
синтезированных частот, формирующие
выходные частоты с управлением по
параметрам точности, кратковременной
и долговременной стабильности
на основе или с помощью внутренней
эталонной частоты, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую
частоту более 31 ГГц;
б) время переключения с одной
заданной частоты на другую менее
1 мс; или
в) фазовый шум одной боковой полосы
лучше -(126+20lgF-20lgf) в единицах
дБxс/Гц, где F - смещение рабочей
частоты в Гц, а f - рабочая частота
в МГц;
Примечание. По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в которой
выходная частота создается либо
путем сложения или вычитания частот
с двух или более кварцевых
генераторов, либо путем сложения или
вычитания с последующим умножением
результирующей частоты.
3.1.2.5. Сетевые анализаторы с 9030 40 900
максимальной рабочей частотой,
превышающей 40 ГГц;
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, 8527 90 990
имеющие все следующие
характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 40 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу;
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие 8543 20 000
любую из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) менее (лучше) 1E(-11) в
месяц; или
б) годные для применения в космосе
Примечание. По подпункту "а" пункта
3.1.2.7 не контролируются рубидиевые
стандарты, не предназначенные для
космического применения.
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых
приборов или материалов и специально
разработанные компоненты и
оснастка для них:
3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной
программой, предназначенные для
эпитаксиального выращивания,
такие как:
3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать 8479 89 650
толщину слоя с отклонением не более
+-2,5% на протяжении 75 мм или
более;
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения 8419 89 200
паров металлорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов сложных
полупроводников с помощью химических
реакций между материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или
3.3.4;
3.2.1.1.3. Молекулярно-лучевые установки 8479 89 700;
эпитаксиального выращивания, 8543 89 700
использующие газовые или твердые
источники;
3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной 8543 11 000
программой, специально
предназначенные для ионной
имплантации, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) энергию излучения (ускоряющее
напряжение) свыше 1 МэВ;
б) специально спроектированные
и оптимизированные для работы с
энергией излучения (ускоряющим
напряжением) ниже 2 кэВ;
в) обладающие способностью
непосредственной записи; или
г) пригодные для
высокоэнергетической имплантации
кислорода в нагретую подложку
полупроводникового материала;
3.2.1.3. Установки сухого травления 8456 91 000;
анизотропной плазмой, управляемые 8456 99 900
встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин
и загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный
резонанс;
б) специально спроектированные
для оборудования, контролируемого по
пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный
резонанс;
3.2.1.4. Установки химического парофазового 8419 89 200;
осаждения и плазменной стимуляции, 8419 89 300
управляемые встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин
и загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс
б) специально спроектированные
для оборудования, контролируемого по
пункту 3.2.1.5, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный
резонанс;
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 8456 10 00;
автоматически загружаемые 8456 91 000;
многокамерные системы с центральной 8456 99 900;
загрузкой пластин, имеющие все 8456 99 300;
следующие составляющие: 8479 50 000
а) интерфейсы для загрузки и
выгрузки пластин, к которым
присоединяется более двух единиц
оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для
интегрированной системы
последовательной многопозиционной
обработки пластин в вакуумной среде;
Примечание. По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робототехнические системы загрузки
пластин, не предназначенные для
работы в вакууме.
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые
встроенной программой, такие как:
3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения 9009 22 900
и экспонирования (прямого
последовательного шагового
экспонирования) или шагового
сканирования (сканеры) для обработки
пластин методом фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющие
любую из следующих составляющих:
а) источник света с длиной волны
короче 350 нм; или
б) способность воспроизводить
рисунок с минимальным размером
разрешения от 0,5 мкм и менее;
Техническое примечание. Минимальный
размер разрешения (МРР)
рассчитывается по следующей
формуле:
(экспозиция источника
освещения с длиной волны в
мкм) х (К фактор)
МРР = ----------------------------,
цифровая апертура
где К фактор = 0,7.
3.2.1.6.2. Установки, специально 8456 10;
спроектированные для производства 8456 99
шаблонов или обработки
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
фокусируемого электронного луча,
пучка ионов или лазерного луча,
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить рисунок
с минимальными разрешенными
проектными нормами менее 1 мкм; или
в) точность совмещения лучше
+-0,20 мкм (3 сигма);
3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные
фотошаблоны, разработанные
для интегральных схем,
контролируемых по пункту
3.1.1;
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с 9010 90 000
фазосдвигающим слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая
встроенной программой, специально
спроектированная для испытания
готовых или находящихся в разной
степени изготовления
полупроводниковых приборов,
и специально спроектированные
компоненты и приспособления для нее:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 390
транзисторных приборов на частотах
свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, 9031 80 390
способная выполнять функциональное
тестирование (по таблицам
истинности) с частотой тестирования
строк более 333 МГц;
Примечание. По пункту 3.2.2.2 не
контролируется аппаратура испытаний,
специально спроектированная для
испытаний:
а) электронных сборок или класса
электронных сборок для бытовой или
игровой электронной аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок или
интегральных схем.
Техническое примечание. Для целей
этого пункта оценочной
характеристикой является
максимальная частота цифрового
режима работы тестера, поэтому она
является эквивалентом наивысшему
значению оценки, которое может
обеспечить тестер во
внемультиплексном режиме. Она также
относится к скорости испытания,
максимальной цифровой частоте или к
максимальной цифровой скорости.
3.2.2.3. Для испытания микроволновых 9031 20 000;
интегральных схем, контролируемых 9031 80 390
по пункту 3.1.1.2.2
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы,
состоящие из подложки с несколькими
последовательно наращенными
эпитаксиальными слоями, имеющими
любую из следующих составляющих:
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100;
3818 00 900
3.3.1.2. Германий; или 3818 00 900
3.3.1.3. Соединения III/V на основе 3818 00 900
галлия или индия
Техническое примечание. Соединения
III/V - это поликристаллические или
двухэлементные или сложные
монокристаллические продукты,
состоящие из элементов групп IIIA и
VA периодической системы Менделеева
(по отечественной классификации это
группы A3 и B5) (арсенид галлия,
алюмоарсенид галлия, фосфид индия и
т.п.)
3.3.2. Материалы резистов и подложки,
покрытые контролируемыми резистами,
такие как:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные 3824 90 900
для полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для использования
на спектральную чувствительность
менее 350 нм;
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные 3824 90 900
для использования при экспонировании
электронными или ионными пучками, с
чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм
или лучше;
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные 3824 90 900
для использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или
лучше;
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 900
технологии формирования рисунка,
включая силицированные резисты
Техническое примечание. Методы
силицирования - это процессы,
включающие оксидирование поверхности
резиста, для повышения качества
мокрого и сухого проявления.
3.3.3. Органо-неорганические компаунды,
такие как:
3.3.3.1. Органо-металлические соединения на 2931 00 800
основе алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы
свыше 99,999%;
3.3.3.2. Органо-мышьяковистые, 2931 00 800
органо-сурьмянистые и
органо-фосфорные соединения
с чистотой органической элементной
основы свыше 99,999%
Примечание. По пункту 3.3.3
контролируются только соединения,
чей металлический, частично
металлический или неметаллический
элемент непосредственно связан с
углеродом в органической части
молекулы.
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 2848 00 000;
сурьмы, имеющие чистоту свыше 2850 00 100
99,999% даже после растворения в
инертных газах или водороде
Примечание. По пункту 3.3.4 не
контролируются гидриды, содержащие
20% и более молей инертных газов или
водорода.
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам
3.1.1.2-3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
созданное для применения в
оборудовании, управляемом встроенной
программой и контролируемом
по пункту 3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР), предназначенное для
полупроводниковых приборов или
интегральных схем, имеющее любую из
следующих составляющих:
3.4.3.1. Правила проектирования или правила
проверки (верификации) схем;
3.4.3.2. Моделирование схем по их физической
топологии; или
3.4.3.3. Имитаторы литографических процессов
для проектирования
Техническое примечание. Имитатор
литографических процессов - это
пакет программного обеспечения,
используемый на этапе проектирования
для определения последовательности
операций литографии, травления и
осаждения в целях воплощения
маскирующих шаблонов в конкретные
топологические рисунки проводников,
диэлектриков или полупроводникового
материала.
Примечания:
1. По пункту 3.4.3 не контролируется
программное обеспечение, специально
созданное для описания
принципиальных схем, логического
моделирования, раскладки и
маршрутизации (трассировки),
проверки топологии или размножения
шаблонов.
2. Библиотеки, проектные атрибуты
или сопутствующие данные для
проектирования полупроводниковых
приборов или интегральных схем
рассматриваются как технология.
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования
или материалов, контролируемых по
пунктам 3.1, 3.2 или 3.3
Примечание. По пункту 3.5.1
и подпункту "ж" пункта 3.5.2
не контролируются технологии
разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем,
контролируемых по пунктам
3.1.1.1.3-3.1.1.1.12, имеющих оба
нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы
0,7 мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных
структур.
Техническое примечание. Термин
"многослойные структуры" в подпункте
2 пункта "б" примечания не включает
приборы, содержащие максимум два
металлических слоя и два слоя
поликремния.
3.5.2. Прочие технологии для разработки
или производства:
а) вакуумных микроэлектронных
приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких как
транзисторы с высокой подвижностью
электронов, биполярных транзисторов
на гетероструктуре, приборов с
квантовыми ямами или приборов на
сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек пленок алмаза для
электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния
на диэлектрике (КНД - структур) для
интегральных схем с диэлектриком из
двуокиси кремния;
е) подложек из карбида кремния
для электронных компонентов;
ж) технологии, соответствующие
общему технологическому примечанию,
другие, чем те, которые
контролируются по пункту 3.5.1,
для разработки или производства
микропроцессорных микросхем,
микрокомпьютерных микросхем
и микросхем микроконтроллеров,
имеющих совокупную теоретическую
производительность (СТП) 530 Мтопс
или более и арифметико-логическое
устройство с длиной выборки 32 бита
или более
Категория 4. Вычислительная техника
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование
или программное обеспечение,
задействованные в телекоммуникациях
или локальных вычислительных сетях,
должны быть также проанализированы
на соответствие характеристикам,
указанным в части 1 Категории 5
(Телекоммуникации).
2. Устройства управления, которые
непосредственно связывают шины или
каналы центральных процессоров,
оперативную память или контроллеры
накопителей на магнитных дисках, не
входят в понятие
телекоммуникационной аппаратуры,
рассматриваемой в части 1
Категории 5 (Телекоммуникации);
Особое примечание. Для определения
контрольного статуса программного
обеспечения, которое специально
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27
|
