|
Страница 25
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27
выдерживать температуры 1300°С
или более;
10.5.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения первичных
энергетических систем, такие как:
10.5.5.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения компактных с удельной
энергией 35 кДж/кг или более или
удельной мощностью 250 Вт/кг или
более мобильных,
транспортабельных или
предназначенных для использования
в космическом пространстве
первичных энергетических систем,
включая:
10.5.5.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения компоновки для
обеспечения эксплуатационных
характеристик в пределах заданных
ограничений по размерам, массе и
геометрии;
10.5.5.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения методов
защиты от воздействия факторов
окружающей среды, повышения
радиационной стойкости,
определения технических
характеристик и проведения
испытаний;
10.5.5.5.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения методов регулирования
теплового режима;
10.5.5.5.1.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения технических средств
контроля выбросов путем
обеспечения работы в замкнутом
контуре или удержания;
10.5.5.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения малогабаритных ядерных
источников энергии;
10.5.5.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения имитационных моделей
для ЭВМ, а также необходимых для
этого баз расчетных данных и
средств программного обеспечения,
позволяющих характеризовать
следующее:
10.5.5.5.3.1. работу и взаимодействие элементов
комплексных первичных
электросиловых систем;
10.5.5.5.3.2. взаимодействие между первичными
энергосистемами и импульсными
системами или системами
направленной энергии;
10.5.5.5.3.3. взаимодействие первичной
электросиловой системы с
окружающей средой;
10.5.5.6. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения импульсных силовых
систем, такие как:
10.5.5.6.1. Технология проектирования и
комплексирования систем, включая:
10.5.5.6.1.1. разработку, производство или
использование технических средств
и методов для кондиционирования
импульсов и передачи мощности,
включая:
10.5.5.6.1.1.1. технические средства для
производства высококачественных
кабелей с большим сроком службы,
разъемов и изоляторов, а также
изоляционных материалов и
устройств для согласования
импеданса;
10.5.5.6.1.1.2. методы обработки поверхностей для
повышения возможностей линий
электропередачи при
напряженности свыше ЮМВ/м;
10.5.5.6.1.2. разработку, производство или
использование импульсных силовых
систем с удельной энергией
35 кДж/кг или более, удельной
мощностью 250 Вт/кг или более,
предназначенных для мобильной
эксплуатации при установке на
транспортных средствах или
пригодных для использования на
космических аппаратах, включая:
10.5.5.6.1.2.1. технические приемы компоновки для
обеспечения эксплуатационных
характеристик в пределах заданных
ограничений по размерам, массе и
геометрии;
10.5.5.6.1.2.2. методы защиты от воздействия
факторов окружающей среды и
повышения радиационной стойкости;
10.5.5.6.1.2.3. методы регулирования теплового
режима;
10.5.5.6.1.2.4. механические средства контроля
выбросов путем обеспечения работы
в замкнутом контуре или
удержания;
10.5.5.6.1.2.5. методы сведения к минимуму или
компенсации различных усилий,
вращающих моментов и вибрации;
10.5.5.6.1.2.6. методы контроля или сведения к
минимуму совместного влияния
электромагнитных импульсов и
помех;
10.5.5.6.2. Технология генерации и
накопления:
10.5.5.6.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения генераторов со сжатием
магнитного потока с единичным
энергозапасом более 50 МДж,
включая:
10.5.5.6.2.1.1. разработку, производство или
применение магнитоэлектрических
генераторов со сжатием потока в
расчете на минимизацию потерь и
максимизацию эффективности
преобразования энергии, включая:
а) методы уменьшения потерь
магнитного потока и его
локализации;
б) методы предотвращения
неблагоприятных эффектов сильных
магнитных полей;
в) методы предотвращения
электрического пробоя;
10.5.5.6.2.1.2. разработку, производство или
применение технических средств и
методов формирования импульсов
магнитоэлектрических генераторов
со сжатием потока, а также
разработку особых конструкций
импульсных генераторов, входных и
выходных переключателей и
формирование передающих линий;
10.5.5.6.2.1.3. разработку трансформаторов связи
для магнитоэлектрических
генераторов и применение
согласования импеданса;
10.5.5.6.2.2. Технология импульсных батарей:
10.5.5.6.2.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем электродов для
получения импульсов сверхвысокой
частоты и методов химической
обработки поверхности;
10.5.5.6.2.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения электролитов с высокой
подвижностью носителей, большой
вязкостью или твердых
электролитов;
10.5.5.7. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения радиоактивных
термоэлектрических источников
питания для подводного и
космического применения и
связанного с ним оборудования;
10.5.5.8. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения компактных и легких
прогонных или водородных
ускорителей ионов, рассчитанных
на эксплуатацию в верхних слоях
атмосферы и (или) космическом
пространстве
Категория 11.
Перспективные материалы
11.1. Системы, оборудование и
компоненты
11.1.1. Изделия сложной формы, 7508 90 000
изготовленные из направленно
отверждающихся эвтектических и
монокристаллических суперсплавов
путем отливки
11.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
11.2.1. Оборудование для тепловых 9031 20 000;
испытаний образцов материалов с 9031 80 990
углерод-углеродным покрытием при
температурах свыше 1650°С
11.3. Материалы
11.3.1. Композиционные материалы типа 3926 90 990;
"Стекларм" на основе 7019 39 900;
стекломатрицы, армированной 7020 00 100;
высокопрочными волокнами, 7020 00 900
предназначенные для изготовления
деталей силовых установок (узлов
трения), работающих в агрессивных
средах при повышенных
температурах (500°С или более)
11.3.2. Композиционные материалы на 7019 39 900;
основе стекла, армированного 7020 00 100;
непрерывными высокопрочными 7020 00 900
волокнами с плотностью 1900
кг/куб.м или более, прочностью
150 МПА или более и температурой
эксплуатации 500°С или более
11.3.3. Композиционные материалы на 3926 90 990;
основе стекла, в системе 7019 39 900
Si02-Al;03-В;03, армированного 7020 00 100;
жгутами из непрерывных 7020 00 900
высокопрочных волокон, с
плотностью 1730 кг/куб.м или
более и модулем упругости 230 ГПа
или более
11.3.4. Сплавы на основе Fe-Cr-Al,
7224-7229, работающие длительное
время в окислительной среде при
температуре 1400°С или более,
способные к экструдированию и
прокатыванию
11.4. Программное обеспечение - нет
Технологии
11.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения конструкционных
материалов, покрытий, методов
обеспечения прочности и повышения
стойкости к внешним воздействиям
среды и различным поражающим
факторам:
11.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
сплавов на основе молибдена,
легированного редкоземельными и
другими металлами, в части их
составов, режимов получения и
обработки;
11.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
изделий сложной формы путем
отливки из направленно
отверждающихся эвтектических и
монокристаллических суперсплавов,
включая состав литья, свойства и
технологические процессы, а также
режимы и контроль параметров
отверждения и промежуточный
контроль во время плавки и
отливки;
11.5.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
слитков алюминий-литиевых
сплавов, такие как:
11.5.1.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
процессов плавки, легирования и
литья слитков, позволяющих
преодолеть химическую активность
таких сплавов;
11.5.1.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
процессов термомеханической
обработки необходимых для
получения требуемых механических
свойств сплавов
11.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения композиционных
материалов типа "Стекларм" на
основе стекломатрицы,
армированной высокопрочными
волокнами, предназначенные для
изготовления деталей силовых
установок (узлов трения),
работающих в агрессивных средах
при повышенных температурах (500°С
или более)
11.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения композиционных
материалов на основе стекла,
армированного непрерывными
высокопрочными волокнами с
плотностью 1900 кг/куб.м или
более, прочностью 150 МПА или
более и температурой эксплуатации
500°С или более
11.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения композиционных
материалов на основе стекла, в
системе SiO2-Al2O3-B2O3,
армированного жгутами из
непрерывных высокопрочных
волокон, с плотностью
1730кг/куб.м или более и модулем
упругости 230 ГПа или более
11.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения сплавов на основе
Fe-Cr-Al, работающих длительное
время в окислительной среде при
температуре 1400°С или более,
способных к экструдированию и
прокатыванию
Категория 12.
Обработка материалов
12.1. Системы, оборудование и
компоненты
12.1.1. Высокоточные воздушные 8483 30 590;
подшипниковые системы и их 8483 90 300
компоненты
12.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
12.2.1. Оборудование больших вакуумных
систем:
12.2.1.1. Системы с криогенными насосами 8414 10 500
(системы, в которых для
достижения вакуума статически или
динамически обеспечивается
циркуляция охлажденного или
сжиженного газа путем понижения
температуры среды), рассчитанные
на эксплуатацию при температурах
ниже 200°С, измеренных при
атмосферном давлении;
12.2.1.2. Системы управления на базе 9032 20 909;
компьютера для управления 9032 89 900
процессом вакуумизации;
12.2.1.3. Высоковакуумные системы, которых 8419 89 959
в объем камеры более одного литра
и которые можно откачивать до
давления менее 1,Зх10 мкПа при
том, что температура в камере
поддерживается выше 800°С
12.2.2. Оборудование высококачественной
сварки:
12.2.2.1. Датчики и системы управления для
сварочного оборудования, такие
как:
12.2.2.1.1. микропроцессоры и оборудование с 8542 19 550;
цифровым управлением, которые 9031 80 590;
прослеживают сварной шов в 9032 89 900
реальном масштабе времени,
контролируя его геометрию;
12.2.2.1.2. микропроцессоры и оборудование с 8542 19 550;
цифровым управлением, которые в 9031 80 590;
реальном масштабе времени 9032 89 900
контролируют и корректируют
параметры сварки в зависимости от
изменений сварного шва или
состояния сварочной дуги
12.3. Материалы - нет
12.4. Программное обеспечение - нет
12.5. Технологии
12.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения высокоточных воздушных
подшипниковых систем и их
компонентов
12.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения глубоковакуумных
процессов:
12.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения больших вакуумных
систем, таких как:
12.5.2.1.1. систем с криогенными насосами
(систем, в которых для достижения
вакуума статически или
динамически обеспечивается
циркуляция охлажденного или
сжиженного газа путем понижения
температуры среды), рассчитанных
на эксплуатацию при температурах
ниже 200°С, измеренных при
атмосферном давлении;
12.5.2.1.2. систем управления на базе ЭВМ для
управления процессом
вакуумизации;
12.5.2.1.3. высоковакуумных систем, в которых
объем камеры более одного литра и
которые можно откачивать до
давления менее 1,3х10 мкПа при
том, что температура в камере
поддерживается выше 800°С
12.5.3. Технологии, предназначенные для
производства или
высококачественной разработки,
применения сварки
12.5.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения датчиков и систем
управления для сварочного
оборудования, такого как:
12.5.3.1.1. микропроцессоров и оборудования с
цифровым управлением, которые
прослеживают сварной шов в
реальном масштабе времени,
контролируя его геометрию;
12.5.3.1.2. микропроцессоров и оборудования с
цифровым управлением, которые в
реальном масштабе времени
контролируют и корректируют
параметры сварки в зависимости от
изменений сварного шва или
состояния сварочной дуги
12.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
проволоки, наплавочного материала
и фитильных или покрытых
электродов для сварки изделий из
титана, алюминия и высокопрочной
стали, а также составление
материалов для покрытий и
сердцевин электродов
12.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
металлических конструкций и
компонентов методом
электроннолучевой сварки с
использованием машинного
управления технологическим
процессом
Категория 13. Электроника
13.1. Системы, оборудование и
компоненты - нет
13.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование -
нет
13.3. Материалы - нет
13.4. Программное обеспечение
13.4.1. Программное обеспечение,
разработанное для анализа
нелинейного взаимодействия пакета
волн
13.4.2. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки и
производства электрических и
механических элементов антенн, а
также для анализа тепловых
деформаций конструкции антенны
13.4.3. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
космических элементов спутниковой
системы связи и их элементов,
таких как:
13.4.3.1. развертываемых антенн, а также
механизмов их развертывания,
включая контроль поверхности
антенн при их изготовлении и
динамический контроль развернутых
антенн;
13.4.3.2. антенных решеток с фиксированной
апертурой, включая контроль их
поверхности при производстве;
13.4.3.3. антенных решеток, состоящих из
линейки рупорных излучателей,
формирующих диаграмму
направленности путем изменения
фазы сигнала и установки нуля
диаграммы направленности на
источник помех;
13.4.3.4. микрополосковых фазированных
антенных решеток, включая
компоненты для формирования нуля
диаграммы в направлении на
источник помех;
13.4.3.5. трактов передачи энергии от
передатчика к антенне,
обеспечивающих хорошее их
согласование;
13.4.3.6. антенн и компонентов на основе
композиционных материалов для
достижения требуемых
характеристик прочности и
жесткости при минимальном весе,
стабильности длительной их работы
в широком диапазоне температур
13.4.4. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
полосовых фильтров с полосой
пропускания менее 0,1% или более
10% среднего значения частоты
13.4.5. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или производства аппаратуры,
указанной в пунктах
13.5.5.1-13.5.5.5
13.5. Технологии
13.5.1. Технологии, связанные с
разработкой, производством или
применением вакуумной
электроники, акустоэлектроники и
сегнетоэлектрики
13.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения оборудования с
цифровым управлением,
позволяющего осуществлять
автоматическую ориентацию
рентгеновского луча и коррекцию
углового положения кварцевых
кристаллов с компенсацией
механических напряжений,
вращающихся по двум осям при
величине погрешности 10 угловых
секунд или менее, которая
поддерживается одновременно для
двух осей вращения;
13.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения оборудования для
равномерного покрытия поверхности
мембран, электродов и
волоконно-оптических элементов
монослоями биополимеров или
биополимерных композиций
13.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения криогенной техники:
13.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения низкотемпературных
контейнеров, криогенных
трубопроводов или
низкотемпературных
рефрижераторных систем закрытого
типа, предназначенных для
получения и поддержания
регулируемых температур ниже
100 К и пригодных для
использования на подвижных
наземных, морских, воздушных и
космических платформах
13.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения источников СВЧ и
микроволнового излучения большой
мощности (более 2,5 кВт):
13.5.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения мощных переключателей,
таких как водородные тиратроны,
и их компонентов, в том числе:
13.5.3.1.1. эффективных устройств охлаждения
путем рассеяния тепла;
13.5.3.1.2. малоразмерных элементов для
уменьшения индуктивности приборов
и улучшения характеристики di/dt;
13.5.3.1.3. катодов большой площади;
13.5.3.1.4. устройств получения длительных
(до 30 с) импульсов;
13.5.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения волноводов и их
компонентов, в том числе:
13.5.3.2.1. массового производства одно- и
двухгребневых волноводов и
высокоточных волноводных
компонентов;
13.5.3.2.2. механических конструкций и
вращающихся сочленений;
13.5.3.2.3. устройств охлаждения
ферромагнитных компонентов;
13.5.3.2.4. прецизионных волноводов
миллиметровых волн и их
компонентов;
13.5.3.2.5. ферритовых деталей для
использования в ферромагнитных
компонентах волноводов;
13.5.3.2.6. ферромагнитных и механических
деталей для сборки ферромагнитных
узлов волноводов;
13.5.3.2.7. материалов типа
"диэлектрик-феррит" для
управления фазой сигнала и
уменьшения размеров антенны;
13.5.3.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения СВЧ и ВЧ-антенн,
специально предназначенных для
ускорения ионов
13.5.4. Технологии, связанные с
исследованием проблем
распространения радиоволн в
интересах создания перспективных
систем связи и управления:
13.5.4.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств КВ-радиосвязи,
такие как:
13.5.4.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения автоматически
управляемых КВ-радиосистем, в
которых обеспечивается управление
качеством работы каналов связи;
13.5.4.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения устройств настройки
антенн, позволяющих настраиваться
на любую частоту в диапазоне от
1,5 до 88 МГц, которые
преобразуют начальный импеданс
антенны с коэффициентом стоячей
волны от 3-1 и более до 3-1 и
менее, и обеспечивающих настройку
при работе в любом из следующих
режимов:
а) в режиме приема за время 200
мс или менее;
б) в режиме передачи за время 200
мс или менее при уровнях мощности
ниже 100 Вт и за 1 с или менее
при уровнях свыше 100 Вт;
13.5.4.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения широкополосных
передающих антенн, имеющих
коэффициент перекрытия частотного
диапазона в пределах 10 и более и
коэффициент стоячей волны не
более 4;
13.5.4.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения станций радиорелейной
связи, использующих эффект
тропосферного рассеяния, и их
компонентов, таких как:
13.5.4.3.1. усилителей мощности для работы в
диапазоне частот от 300 МГц до
8 ГГц, использующих жидкостно- и
пароохлаждаемые электронные лампы
мощностью более 10 кВт или лампы
с воздушным охлаждением мощностью
2 кВт или более и коэффициентом
усиления более 20%, включая
усилители, объединенные со своими
источниками электропитания;
13.5.4.3.2. приемников с уровнем шумов менее
ЗдБ;
13.5.4.3.3. специальных микроволновых
гибридных интегральных схем;
13.5.4.3.4. фазированных антенных решеток,
включая их распределенные
компоненты для формирования луча;
13.5.4.3.5. адаптивных антенн, способных к
установке нуля диаграммы
направленности в направлении на
источник помех;
13.5.4.3.6. средств радиорелейной связи для
передачи цифровой информации со
скоростью выше 2,1 Мбит/с и более
1 бит/цикл;
13.5.4.3.7. средств радиорелейной
многоканальной (более 120
каналов) связи с разделением
каналов по частоте;
13.5.4.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства, или
применения космических
спутниковых элементов, таких как:
систем связи и их
13.5.4.4.1. развертываемых антенн, а также
механизмов их развертывания,
включая контроль поверхности
антенн при их изготовлении и
динамический контроль развернутых
антенн;
13.5.4.4.2. антенных решеток с фиксированной
апертурой, включая контроль их
поверхности при производстве;
13.5.4.4.3. антенных решеток, состоящих из
линейки рупорных излучателей,
формирующих диаграмму
направленности путем изменения
фазы сигнала и установки нуля
диаграммы направленности на
источник помех;
13.5.4.4.4. микрополосковых фазированных
антенных решеток, включая
компоненты для формирования нуля
диаграммы в направлении на
источник помех;
13.5.4.4.5. трактов передачи энергии от
передатчика к антенне,
обеспечивающих хорошее их
согласование;
13.5.4.4.6. антенн и компонентов на основе
композиционных материалов для
достижения требуемых
характеристик прочности и
жесткости при минимальном весе,
стабильности длительной их работы
в широком диапазоне температур,
включая технологии стабилизации
параметров в процессе
изготовления компонентов из
эпоксидных смол с графитовым
наполнением;
13.5.4.5. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
усилителей мощности,
предназначенных для применения в
космосе и имеющих одно из
следующих устройств и
особенностей:
13.5.4.5.1. приборы с теплообменными
устройствами, содержащими схемы
теплопередачи от элемента к
поглотителю тепла мощностью свыше
25 Вт с площади 900 кв.см;
13.5.4.5.2. блоки, работающие на частотах
18 ГГц или обеспечивающие
следующие мощности: 10 Вт на
частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на
частоте 2 ГГц, или 1 Вт на
частоте 11 ГГц;
13.5.4.5.3. высоковольтные источники питания,
имеющие соотношение
мощность/масса и
мощность/габариты более 1 Вт/кг и
1 Вт на 320 кв.см
13.5.5. Технологии, связанные с
разработкой методов и способов
радиоэлектронной разведки и
подавления:
13.5.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств
радиоэлектронной разведки и
подавления, такие как:
13.5.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем разведки и
подавления, управляемых
оператором или работающих
автоматизированно и
предназначенных для перехвата,
анализа, подавления и нарушения
нормальной работы систем связи
всех типов;
13.5.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников, работающих
с сигналами, имеющими коэффициент
сжатия, превышающий 100;
13.5.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников,
использующих дисперсионные
фильтры и конвольверы с уровнем
побочных сигналов на 20 дБ ниже
основного сигнала;
13.5.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников,
предназначенных для обнаружения,
перехвата, анализа, подавления
сигналов, в том числе с
модуляцией распределенным
спектром;
13.5.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения устройств
автоматической настройки антенны,
обеспечивающих ее перестройку со
скоростью не менее 30 МГц/с;
13.5.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств
автоматического определения
направления, способных считывать
пеленги со скоростями не менее
одного пеленга в секунду
13.5.6. Технологии, предназначенные для
разработки, изготовления или
применения запоминающих
устройств (ЗУ) на тонких пленках,
такие как:
13.5.6.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ЗУ на ЦМД;
13.5.6.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения материалов и
оборудования для изготовления ЗУ
на ЦМД;
13.5.6.3. Технологии, предназначенные для
выращивания и обработки
материалов для изготовления
подложек ЗУ на магнитных доменах,
например, из материала на основе
галлийгадолиниевого граната;
13.5.6.4. Технологии, предназначенные для
эпитаксиального выращивания
пленок для ЗУ на ЦМД;
13.5.6.5. Технологии, предназначенные для
осаждения пермаллоя и диэлектрика
и создания рисунка, включая
металлизацию напылением или
испарением и ионное фрезерование;
13.5.6.6. Технологии, предназначенные для
компоновки и сборки ЗУ на ЦМД;
13.5.6.7. Технологии, предназначенные для
разработки ионных имплантантов и
ЗУ с соприкасающимися дисками и
методы создания рисунка
13.5.7. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ЗУ на проволоке с
гальваническим покрытием, такие
как:
13.5.7.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства ЗУ на
проволоке с гальваническим
покрытием, включая:
13.5.7.1.1. подготовку бериллиево-медной
подложки для обеспечения чистой и
однородной поверхности;
13.5.7.1.2. покрытие медью для обеспечения
требуемых плотности и
шероховатости проволоки;
13.5.7.1.3. конструирование устройств для
нанесения покрытий требуемых
составов, однородности и толщины
пермаллойного
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27
|
