|
Страница 14
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29
составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония,
модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или
сплавления, не контролируются.
13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического
применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при
температуре 293 К (20°С).
14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают
стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20° С) коэффициент
-7 -1
линейного расширения 10 K или менее.
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких
диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные
свойства структуры, составленной из материалов с различными
показателями отражения, используются для отражения, пропускания или
поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой -
понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех
слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл.
16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие
твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента
для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт,
никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель,
хром) и карбид хрома - никель.
17. Не контролируются технологии, специально разработанные для
нанесения алмазоподобного углерода на любое из следующего: дисководы
(накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для
производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры
громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие
инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки,
оргтехника, микрофоны и медицинские приборы.
18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для
режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.
19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин
применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические
материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных
компонентов, а также в сочетании с другими компонентами.
Технические примечания к таблице:
Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия",
определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс
нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности
подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик
или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты
разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в
результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме
химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных
химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой
тлеющего разряда или лучом лазера.
Особые примечания:
а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном
газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой,
CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым
образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением
плазменного разряда, ускоряющего процесс;
б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;
в) газообразные реагенты, используемые в процессе без
непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с
применением тех же основных реакций и параметров, что и при
твердофазном диффузионном насыщении.
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, -
это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже
0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для
испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или
осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.
Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную
камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.
Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для
активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является
также обычной модификацией этого метода. Применение
контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом
процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть
особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов
физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят
в следующем:
а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом
электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и
испарения материала, образующего покрытие;
б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы,
полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели
в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения
контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
в) при испарении лазером используется импульсный или
непрерывный лазерный луч;
г) в процессе катодного дугового напыления используется
расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется
дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после
кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое
движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию
высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и
располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера
может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия
вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению
покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического
смещения на подложку.
д) ионное осаждение - специальная модификация процесса
физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в
котором плазменный или ионный источник используется для ионизации
материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное
к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы.
Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере,
а также использование контрольно-измерительных устройств,
обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических
характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого
процесса.
3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс,
модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего
покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь
(засыпку), состоящую из:
а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность
изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.
Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от
1030 К (757°С) до 1375 К (1102°С) в течение достаточно
продолжительного времени для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия,
при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается
порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится
и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное
напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в
режиме высокой скорости.
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе
сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20°С) и давлению
0,1 Мпа, превышает 750 м/с.
5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный
слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых
металлический или керамический порошок с органической связкой,
суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством
напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при
комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения
необходимого покрытия.
6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия,
основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются
в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала
покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна
для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются
на соответствующим образом установленную подложку.
Особые примечания:
а) таблица относится только к триодному, магнетронному или
реакционному осаждению распылением, которое используется для
увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также
к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять
неметаллические материалы;
б) для активации процесса осаждения могут быть использованы
низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).
7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда
легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и
имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение
включает также процессы, в которых ионная имплантация производится
одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной
нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.
Некоторые пояснения к таблице
Следует понимать, что следующая техническая информация,
сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек,
указанных в таблице:
1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в
соответствующей ванне:
1.1.1. Состав раствора:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий,
продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
1.1.2. Время обработки;
1.1.3. Температура ванны;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения
приемлемости чистоты подложки;
1.3. Параметры цикла термообработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Давление;
1.3.2. Температура термообработки;
1.3.3. Время термообработки;
1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
1.4.1.3. Скорость крошки;
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после
пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
1.5. Параметры маски:
1.5.1. Материал маски;
1.5.2. Расположение маски
2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических
параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных
в таблице:
2.1. Параметры атмосферы:
2.1.1. Состав;
2.1.2. Давление;
2.2. Время;
2.3. Температура;
2.4. Толщина;
2.5. Коэффициент преломления;
2.6. Контроль состава покрытия
3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице
подложек с нанесенными покрытиями:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость дроби;
3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
3.3. Параметры цикла термообработки:
3.3.1. Параметры атмосферы:
3.3.1.1. Состав;
3.3.1.2. Давление;
3.3.2. Температура и время цикла;
3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки
подложки с нанесенным покрытием после термообработки
4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с
нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
4.1. Критерии для статистической выборки;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Увеличения;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в
зависимости от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры,
относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации
поверхности, указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой
нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения
материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру
(гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость
потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения
материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения
------------T---------------------------------------T---------------
№ пункта ¦ Наименование ¦ Код ТН ВЭД
------------+---------------------------------------+---------------
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования и
компонентов, указанных в пункте 3.1,
других, нежели указанные в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или пункте
3.1.1.1.11, и которые специально
разработаны или имеют те же самые
функциональные характеристики, как и
другое оборудование, определяется по
контрольному статусу такого
оборудования
2. Контрольный статус интегральных
схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.8 или пункте
3.1.1.1.11, которые являются неизменно
запрограммированными или разработанными
для выполнения функций другого
оборудования, определяется по
контрольному статусу такого
оборудования.
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель или
заявитель не может определить
контрольный статус другого
оборудования, этот статус определяется
контрольным статусом интегральных схем,
указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.8 или пункте
3.1.1.1.11. Если интегральная схема
является кремниевой микросхемой
микроЭВМ или микросхемой
микроконтроллера, указанными в пункте
3.1.1.1.3 и имеющими длину слова
операнда (данных) 8 бит или менее, то
ее статус контроля должен определяться
в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3.
3.1.1. Электронные компоненты:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 8542
или относящиеся к классу радиационно
стойких, выдерживающие любое из
следующих воздействий:
а) суммарную дозу 5 х 10**3 Гр (Si)
[5 х 10**5 рад] или выше;
б) мощность дозы 5 х 10**6 Гр (Si)/с
[5 х 10**8 рад/с] или выше; или
в) флюенс (интегральный поток)
нейтронов (соответствующий энергии в
1 МэВ) 5 х 10**13 н/кв.см или более по
кремнию или его эквивалент для других
материалов
Примечание. Подпункт "в" пункта
3.1.1.1.1 не применяется к структуре
металл-диэлектрик-полупроводник
(МДП-структуре).
3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, 8542
микросхемы микроЭВМ, микросхемы
микроконтроллеров, изготовленные из
полупроводниковых соединений
интегральные схемы памяти,
аналого-цифровые преобразователи,
цифроаналоговые преобразователи,
электронно-оптические или оптические
интегральные схемы для обработки
сигналов, программируемые
пользователем логические устройства,
интегральные схемы для нейронных
сетей, заказные интегральные схемы,
функции которых неизвестны или не
известно, распространяется ли статус
контроля на аппаратуру, в которой
будут использоваться эти интегральные
схемы, процессоры быстрого
преобразования Фурье, электрически
перепрограммируемые постоянные
запоминающие устройства (ЭППЗУ),
память с групповой перезаписью или
статические запоминающие устройства с
произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие
любую из следующих характеристик:
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 К (+125°С);
б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 К (-55°С);
или
в) работоспособные во всем диапазоне
температур окружающей среды от 218 К
(-55°С) до 398 К (+125°С)
Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не
распространяется на интегральные
схемы, применяемые для гражданских
автомобилей и железнодорожных поездов.
3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров,
микросхемы микроЭВМ,
микросхемы микроконтроллеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
3.1.1.1.3.1. Изготовлены на полупроводниковых 8542 21 45;
соединениях и работающие на тактовой 8542 21 500 0;
частоте, превышающей 40 МГц; или 8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.3.2. Более одной шины данных или команд 8542 21 45;
либо последовательный порт связи, что 8542 21 500 0;
обеспечивает прямое внешнее соединение 8542 21 83;
между параллельными микросхемами 8542 21 850 0;
микропроцессоров со скоростью 8542 60 000
передачи, превышающей 150 Мбайт/с
Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает
процессоры цифровых сигналов, цифровые
матричные процессоры и цифровые
сопроцессоры.
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 8542 21 45;
изготовленные на полупроводниковых 8542 21 500 0;
соединениях 8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000
3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для 8542 29 600 0;
аналого-цифровых и цифроаналоговых 8542 29 900 9;
преобразователей: 8542 60 000 9
а) аналого-цифровые преобразователи,
имеющие любую из следующих
характеристик:
разрешающую способность 8 бит или
более, но менее 12 бит с общим
временем преобразования
менее 5 нс;
разрешающую способность 12 бит с общим
временем преобразования менее 20 нс;
разрешающую способность более 12 бит,
но равную или меньше 14 бит с общим
временем преобразования менее 200 нс;
или
разрешающую способность более 14 бит с
общим временем преобразования менее
1 мкс;
б) цифроаналоговые преобразователи с
разрешающей способностью 12 бит или
более и временем установления сигнала
менее 10 нс
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов
n
соответствует 2 уровням квантования.
2. Общее время преобразования является
величиной, обратной частоте выборки.
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические 8542
интегральные схемы для обработки
сигналов, имеющие одновременно
все перечисленные составляющие:
а) один внутренний лазерный диод или
более;
б) один внутренний светочувствительный
элемент или более; и
в) световоды;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем 8542 21 690 0;
логические устройства, имеющие любую 8542 21 990 0
из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество
задействованных логических элементов
более 30000 (в пересчете на элементы
с двумя входами);
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,1 нс; или
в) частоту переключения выше 133 МГц
Примечание. Пункт 3.1.1.1.7 включает:
простые программируемые логические
устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические
устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем
вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем
логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем
межсоединения (ППМС).
Особое примечание.
Программируемые пользователем
логические устройства также известны
как программируемые пользователем
вентильные или программируемые
пользователем логические матрицы.
3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных сетей 8542
3.1.1.1.9. Заказные интегральные схемы, функции 8542 21 690 0;
которых неизвестны или изготовителю не 8542 21 990 0;
известно, распространяется ли статус 8542 29;
контроля на аппаратуру, в которой 8542 60 000
будут использоваться эти интегральные
схемы, с любой из следующих
характеристик:
а) более 1000 выводов;
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,1 нс; или
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц
3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, иные, 8542
нежели указанные в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 и пункте
3.1.1.1.11, созданные на основе любого
полупроводникового соединения и
характеризующиеся любым из
нижеследующего:
а) эквивалентным количеством
логических элементов более 3000
(в пересчете на элементы с двумя
входами); или
б) частотой переключения выше 1,2 ГГц
3.1.1.1.11. Процессоры быстрого преобразования 8542 21 45;
Фурье, имеющие расчетное время 8542 21 500 0;
выполнения комплексного N-точечного 8542 21 83;
сложного быстрого преобразования Фурье 8542 21 850 0;
менее (N log2 N)/20 480 мс, 8542 60 000
где N - количество точек
Техническое примечание.
В случае когда N равно 1024 точкам,
формула в пункте 3.1.1.1.11 дает
результат времени выполнения 500 мкс.
Примечания:
1. Контрольный статус подложек (готовых
или полуфабрикатов), на которых
воспроизведена конкретная функция,
оценивается по параметрам, указанным
в пункте 3.1.1.1.
2. Понятие "интегральные схемы"
включает следующие типы:
монолитные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая
интегральные схемы типа "кремний на
сапфире";
оптические интегральные схемы.
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные
вакуумные лампы и катоды:
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540 79 000 0
непрерывного действия:
а) работающие на частотах, превышающих
31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода со
временем выхода лампы на предельную
радиочастотную мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами
или их модификации с относительной
шириной полосы частот более 7% или
пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их
модификации, имеющие любую из
следующих характеристик:
мгновенную ширину полосы частот более
одной октавы и произведение средней
мощности (выраженной в кВт) на рабочую
частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;
мгновенную ширину полосы частот в одну
октаву или менее и произведение
средней мощности (выраженной в кВт) на
рабочую частоту (выраженную в ГГц)
более 1; или
пригодные для применения в космосе
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с 8540 71 000 0
коэффициентом усиления более 17 дБ
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные 8540 99 000 0
для электронных ламп, эмитирующие в
непрерывном режиме и штатных условиях
работы ток плотностью, превышающей
5 А/кв.см
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.1 не
контролируются лампы, спроектированные
для работы в любом диапазоне частот,
который удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) частота не превышает 31 ГГц; и
б) диапазон распределен Международным
союзом электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для радиоопределения.
2. По пункту 3.1.1.2.1 не
контролируются лампы, которые
непригодны для применения в космосе и
удовлетворяют всем следующим
характеристикам:
а) средняя выходная мощность не более
50 Вт; и
б) спроектированные для работы в любом
диапазоне частот, который
удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
частота выше 31 ГГц, но не превышает
43,5 ГГц; и
диапазон распределен Международным
союзом электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для радиоопределения.
3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные схемы или 8542 29;
модули, которые: 8542 60 000;
а) содержат монолитные интегральные 8542 70 000 0
схемы, имеющие один или более активных
элементов; и
б) работают на частотах выше 3 ГГц
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируются схемы или модули для
оборудования, разработанного или
предназначенного для работы в любом
диапазоне частот, который
удовлетворяет всем следующим
характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц;
б) диапазон распределен Международным
союзом электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для радиоопределения.
2. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируется радиопередающее
спутниковое оборудование, разработанное
или предназначенное для работы в полосе
частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц.
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 8541 21 000 0;
предназначенные для работы на 8541 29 000 0
частотах, превышающих 31 ГГц
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители, 8543 89 950 0
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работающие на частотах, превышающих
10,5 ГГц, и имеющие мгновенную ширину
полосы частот более половины октавы;
или
б) работающие на частотах, превышающих
31 ГГц
3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные фильтры с 8543 89 950 0
электронной или магнитной перестройкой,
содержащие более пяти настраиваемых
резонаторов, обеспечивающих настройку
в полосе частот с соотношением
максимальной и минимальной частот
1,5:1 (fmax/fmin) менее чем за 10 мкс,
и имеющие любую из следующих
характеристик:
а) полосу пропускания частоты более
0,5% от резонансной частоты; или
б) полосу подавления частоты менее
0,5% от резонансной частоты
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 8529 10 700 0;
работать на частотах, превышающих 8542 70 000 0
31 ГГц
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 8543 89 950 0
разработанные для расширения
частотного диапазона аппаратуры,
указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5
или 3.1.2.6
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности 8543 89 950 0
СВЧ-диапазона, содержащие лампы,
контролируемые по пункту 3.1.1.2, и
имеющие все следующие характеристики:
а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
б) плотность средней выходной
мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб.см
Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не
контролируется аппаратура,
спроектированная для работы в любом
диапазоне частот, распределенном
Международным союзом электросвязи для
обслуживания радиосвязи, но не для
радиоопределения.
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально разработанные для них
компоненты:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 8541 60 000 0
волнах и на акустических волнах в
тонком поверхностном слое (то есть
приборы для обработки сигналов,
использующие упругие волны
в материале), имеющие любую
из следующих характеристик:
а) несущую частоту выше 2,5 ГГц;
б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не
превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно
имеющие любую из следующих
характеристик:
частотное подавление боковых лепестков
диаграммы направленности более 55 дБ;
произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
ширину полосы частот выше 250 МГц; или
дисперсионную задержку более 10 мкс;
или
в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
дисперсионную задержку более 10 мкс;
или
частотное подавление боковых лепестков
диаграммы направленности более 55 дБ и
ширину полосы частот, превышающую
50 МГц
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541 60 000 0
волнах (то есть приборы для обработки
сигналов, использующие упругие волны в
материале), обеспечивающие
непосредственную обработку сигналов на
частотах, превышающих 1 ГГц
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 8541 60 000 0
сигналов, использующие взаимодействие
между акустическими волнами (объемными
или поверхностными) и световыми
волнами, что позволяет непосредственно
обрабатывать сигналы или изображения,
включая анализ спектра, корреляцию или
свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540;
содержащие компоненты, изготовленные 8541;
из сверхпроводящих материалов, 8542;
специально спроектированные для работы 8543
при температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих, имеющие
хотя бы один из следующих признаков:
а) токовые переключатели для цифровых
схем, использующие сверхпроводящие
вентили, у которых произведение
времени задержки на вентиль (в
секундах) на рассеиваемую мощность на
вентиль (в ваттах) менее 10**-14 Дж;
или
б) селекцию частоты на всех частотах с
использованием резонансных контуров с
добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные
энергетические устройства:
3.1.1.5.1. Батареи и сборки фотоэлектрических
элементов:
3.1.1.5.1.1. Первичные элементы и батареи с 8506;
плотностью энергии, превышающей 8507;
480 Вт·ч/кг, и пригодные для работы 8541 40 900 0
в диапазоне температур от ниже 243 К
(-30°С) до выше 343 К (70°С);
3.1.1.5.1.2. Подзаряжаемые элементы и батареи с 8506;
плотностью энергии более 8507;
150 Вт·ч/кг после 75 циклов 8541 40 900 0
заряд-разряда при токе разряда, равном
С/5 (С - номинальная емкость в
ампер-часах, 5 - время разряда в
часах), при работе в диапазоне
температур от ниже 253 К (-20°С) до
выше 333 К (60°С)
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется путем
умножения средней мощности в ваттах
(произведение среднего напряжения в
вольтах на средний ток в амперах) на
длительность цикла разряда в часах,
при котором напряжение на разомкнутых
клеммах падает до 75% от номинала, и
деления полученного произведения на
общую массу элемента (или батареи) в
килограммах.
3.1.1.5.1.3. Батареи, пригодные для применения в 8506;
космосе, и радиационно стойкие сборки 8507;
фотоэлектрических элементов с удельной 8541 40 900 0
мощностью более 160 Вт/кв.м при
рабочей температуре 301 К (28°С) и
облучении от вольфрамового источника,
нагретого до температуры 2800 К
(2527°С) с плотностью мощности
излучения 1 кВт/кв.м
Примечание. По пунктам
3.1.1.5.1.1-3.1.1.5.1.3 не
контролируются батареи объемом
27 куб.см или менее (например,
стандартные элементы с угольными
стержнями или батареи типа R14).
3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные
конденсаторы:
3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения 8506;
ниже 10 Гц (одноразрядные 8507;
конденсаторы), имеющие все следующие 8532
характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
б) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
в) полную энергию 25 кДж или более
3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 8506;
10 Гц и выше (многоразрядные 8507;
конденсаторы), имеющие все следующие 8532
характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
б) плотность энергии 50 Дж/кг или
более;
в) полную энергию 100 Дж или более; и
г) количество циклов заряд-разряда
10000 или более
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 8504 50;
соленоиды, специально разработанные на 8505 90 100 0
полный заряд или разряд менее чем за
1 с, имеющие все нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токонесущих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию
больше 8 Т или суммарную плотность
тока в обмотке более 300 А/кв.мм
Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не
контролируются сверхпроводящие
электромагниты или соленоиды,
специально разработанные для
медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии.
3.1.1.6. Цифровые преобразователи абсолютного 9031 80 320 0;
углового положения вращающегося вала, 9031 80 340 0
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от
полного диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +-2,5 угл.с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально
разработанная измерительная магнитная
лента для нее:
3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной ленте 8520 32 500 0;
показаний аналоговой аппаратуры, 8520 32 990 0;
включая аппаратуру с возможностью 8520 39 900 0;
записи цифровых сигналов (например, 8520 90 900 0;
использующие модуль цифровой записи 8521 10 300 0;
высокой плотности), имеющие любую из 8521 10 800 0
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на
электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на
электронный канал или дорожку, при
количестве дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную)
временной шкалы, измеренную по
методикам соответствующих руководящих
материалов Межведомственного совета по
радиопромышленности (IRIG) или
Ассоциации электронной промышленности
(ЕIA), менее +-0,1 мкс
Примечание. Аналоговые
видеомагнитофоны на магнитной ленте,
специально разработанные для
гражданского применения, не
рассматриваются как записывающие
устройства, использующие ленту.
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на магнитной 8521 10;
ленте, имеющие максимальную пропускную 8521 90 000 0
способность цифрового интерфейса более
360 Мбит/с
Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не
контролируются цифровые
видеомагнитофоны на магнитной ленте,
специально разработанные для
телевизионной записи, использующие
формат сигнала, который может включать
сжатие формата сигнала,
стандартизированный или рекомендуемый
для применения в гражданском
телевидении Международным союзом
электросвязи, Международной
электротехнической комиссией,
Организацией инженеров по развитию
кино и телевидения, Европейским союзом
радиовещания, Европейским институтом
стандартов по телекоммуникациям или
Институтом инженеров по электротехнике
и радиоэлектронике.
3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной ленте 8471 70 600 0;
показаний цифровой аппаратуры, 8521 10
использующие принципы спирального
сканирования или принципы
фиксированной головки и имеющие любую
из следующих характеристик:
а) максимальную пропускную способность
цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;
или
б) пригодные для применения в космосе
Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не
контролируются устройства записи
данных на магнитной ленте, оснащенные
электронными блоками для
преобразования в цифровую запись
высокой плотности и предназначенные
для записи только цифровых данных.
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 8521 90 000 0
способностью цифрового интерфейса,
превышающей 175 Мбит/с, разработанная
в целях переделки цифровых
видеомагнитофонов на магнитной ленте
для использования их как устройств
записи данных цифровой аппаратуры
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в 8471 90 000 0;
цифровую форму и записи переходных 8543 89 950 0
процессов, имеющие все следующие
характеристики:
а) скорость преобразования в цифровую
форму 200 млн.проб в секунду или
более и разрешение 10 бит или более; и
б) непрерывную пропускную способность
2 Гбит/с или более
Техническое примечание.
Для таких приборов с архитектурой на
параллельной шине непрерывная
пропускная способность есть
произведение наибольшего объема слов
на количество бит в слове. Непрерывная
пропускная способность - это наивысшая
скорость передачи данных аппаратуры, с
которой информация поступает в
запоминающее устройство без потерь при
сохранении скорости выборки и
аналого-цифрового преобразования.
3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой 8471 50;
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29
|
