|
Страница 15
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29
3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой 8471 50;
аппаратуры, использующие способ 8471 60 100 0;
хранения на магнитном диске, имеющие 8471 60 900 0;
все следующие характеристики: 8471 70 100 0;
а) скорость преобразования в цифровую 8471 70 510 0;
форму 100 млн.проб в секунду и 8471 70 530 0;
разрешение 8 бит или более; и 8520 90 100 0;
б) непрерывную пропускную способность 8520 90 900 0;
не менее 1 Гбит/с или более; 8521 90 000 0;
8522 90 590 0;
8522 90 930 0;
8522 90 980 0
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 8543 20 000 0
частот, имеющие время переключения
частоты менее 1 мс
3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот:
3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, анализирующие 9030 83 900 0;
любые сигналы с частотой выше 9030 89 920 0
31,8 ГГц, но ниже 37,5 ГГц, или
превышающие 43,5 ГГц
3.1.2.3.2. Динамические анализаторы сигналов с 9030 83 900 0;
полосой частот в реальном масштабе 9030 89 920 0
времени, превышающей 500 кГц
Примечание. По пункту 3.1.2.3.2 не
контролируются динамические
анализаторы сигналов, использующие
только фильтры с полосой пропускания
фиксированных долей (известны также
как октавные или дробно-октавные
фильтры).
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных 8543 20 000 0
частот, формирующие выходные частоты с
управлением по параметрам точности,
кратковременной и долговременной
стабильности на основе или с помощью
внутренней эталонной частоты и имеющие
любую из следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую частоту,
превышающую 31,8 ГГц;
б) время переключения с одной
выбранной частоты на другую менее
1 мс; или
в) фазовый шум одной боковой полосы
лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в
единицах дБ/Гц, где F - смещение от
рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
Примечание. По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в которой
выходная частота создается либо путем
сложения или вычитания частот с двух
или более кварцевых генераторов, либо
путем сложения или вычитания с
последующим умножением результирующей
частоты.
3.1.2.5. Схемные анализаторы (панорамные 9030 40 900 0
измерители полных сопротивлений;
измерители амплитуды, фазы и групповой
задержки двух сигналов относительно
опорного сигнала) с максимальной
рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, 8527 90 980 0
имеющие все следующие характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 43,5 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую 8543 20 000 0
из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) меньше (лучше) 1·10**-11
в месяц; или
б) пригодные для применения в космосе
Примечание. По подпункту "а" пункта
3.1.2.7 не контролируются рубидиевые
эталоны, непригодные для применения в
космосе.
Особое примечание.
В отношении атомных эталонов частоты,
указанных в подпункте "б" пункта
3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1
раздела 2.
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых
приборов или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка
для них:
3.2.1.1. Управляемое встроенной программой
оборудование для эпитаксиального
выращивания:
3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее толщину 8479 89 650 0
выращиваемого слоя с отклонением менее
+-2,5% на расстояниях 75 мм или более
3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для химического 8419 89 200 0
осаждения из паровой фазы
металлоорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов
полупроводниковых соединений с
использованием материалов,
контролируемых по пункту 3.3.3 или
3.3.4, в качестве исходных
Особое примечание.
В отношении оборудования, указанного
в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт
3.2.1 раздела 2.
3.2.1.1.3. Оборудование для 8479 89 700 0;
молекулярно-эпитаксиального 8543 89 650 0
выращивания с использованием
газообразных или твердых источников
3.2.1.2. Управляемое встроенной программой 8543 11 000 0
оборудование, предназначенное для
ионной имплантации, имеющее любую из
следующих характеристик:
а) энергию пучка (ускоряющее
напряжение) более 1 МэВ;
б) специально спроектированное и
оптимизированное для работы с энергией
пучка (ускоряющим напряжением) менее
2 кэВ;
в) имеет возможность непосредственного
формирования рисунка; или
г) имеет возможность
высокоэнергетической имплантации
кислорода в нагретую подложку
полупроводникового материала
3.2.1.3. Управляемое встроенной программой
оборудование для сухого анизотропного
плазменного травления:
3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок из 8456 91 000 0;
кассеты в кассету и шлюзовой 8456 99 800 0
загрузкой, имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное или оптимизированное
для производства структур с
критическим размером 0,3 мкм или менее
и погрешностью (3Q), равной +-5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см,
при этом измеряемый размер частицы
более 0,1 мкм в диаметре
3.2.1.3.2. Оборудование, специально 8456 91 000 0;
спроектированное для систем, 8456 99 800 0
контролируемых по пункту 3.2.1.5, и
имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное или оптимизированное
для производства структур с критическим
размером 0,3 мкм или менее и
погрешностью (3Q), равной +-5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см,
при этом измеряемый размер частицы
более 0,1 мкм в диаметре
______________________________
Q - греческая буква "сигма".
3.2.1.4. Управляемое встроенной программой 8419 89 200 0;
оборудование химического осаждения из 8419 89 300 0
паровой фазы с применением плазменного
разряда, ускоряющего процесс:
3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из
кассеты в кассету и шлюзовой
загрузкой, имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированное для производства
структур с критическим размером
0,3 мкм или менее и погрешностью (3Q),
равной +-5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см,
при этом измеряемый размер частицы
более 0,1 мкм в диаметре
3.2.1.4.2. Оборудование, специально
спроектированное для систем,
контролируемых по пункту 3.2.1.5, и
имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированное для производства
структур с критическим размером
0,3 мкм или менее и погрешностью (3Q),
равной +-5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см,
при этом измеряемый размер частицы
более 0,1 мкм в диаметре
______________________________
Q - греческая буква "сигма".
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 8456 10;
автоматически загружаемые 8456 91 000 0;
многокамерные системы с центральной 8456 99 800 0;
загрузкой полупроводниковых пластин 8456 99 300 0;
(подложек), имеющие все следующие 8479 50 000 0
характеристики:
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки
пластин (подложек), к которым
присоединяется более двух единиц
оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для интегрированной
системы последовательной
многопозиционной обработки пластин
(подложек) в вакууме
Примечание. По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робототехнические системы управления
загрузкой пластин (подложек), не
предназначенные для работы в вакууме.
3.2.1.6. Управляемое встроенной программой
оборудование для литографии:
3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин с 9009 22 000 0
использованием методов оптической или
рентгеновской литографии с пошаговым
совмещением и экспозицией
(непосредственно на пластине) или
сканированием (сканер), имеющее любое
из следующего:
а) источник света с длиной волны
короче 350 нм; или
б) возможность формирования рисунка с
минимальным разрешаемым размером
элемента 0,35 мкм и менее
Техническое примечание. Минимальный
разрешаемый размер элемента (МРР)
рассчитывается по следующей формуле:
МРР = (длина волны источника света в
микрометрах) х (К фактор) / (числовая
апертура),
где К фактор = 0,7.
3.2.1.6.2. Оборудование, специально разработанное 8456 10;
для изготовления шаблонов или 8456 99
производства полупроводниковых
приборов с использованием отклоняемого
сфокусированного электронного, ионного
или лазерного пучка, имеющее любую из
следующих характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) возможность формирования рисунка с
размером элементов менее 1 мкм; или
в) точность совмещения слоев лучше
+-0,20 мкм (3 сигма)
3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, 9010 90
разработанные для производства
интегральных схем, контролируемых по
пункту 3.1.1
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим 9010 90
слоем
3.2.2. Управляемое встроенной программой
оборудование, специально разработанное
для испытания готовых или находящихся
в разной степени изготовления
полупроводниковых приборов, и
специально разработанные для этого
компоненты и приспособления:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 390 0
транзисторных приборов на частотах
выше 31 ГГц
3.2.2.2. Для испытания интегральных схем, 9030;
способное выполнять функциональное 9031 20 000 0;
тестирование (по таблицам истинности) 9031 80 390 0
с частотой тестирования строк выше
333 МГц
Примечание. По пункту 3.2.2.2 не
контролируется оборудование,
специально разработанное для испытания:
а) электронных сборок или любого
класса электронных сборок бытового или
развлекательного назначения;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок или
интегральных схем;
в) запоминающих устройств.
Техническое примечание.
Для целей этого пункта частота
тестирования определяется как
максимальная частота цифрового режима
работы испытательного устройства.
Поэтому она является эквивалентом
скорости тестирования, которую может
обеспечить указанное устройство во
внемультиплексном режиме. Она может
также считаться скоростью испытания,
относиться к максимальной цифровой
частоте или к максимальной цифровой
скорости.
3.2.2.3. Для испытания микроволновых 9030;
интегральных схем, контролируемых по 9031 20 000 0;
пункту 3.1.1.2.2 9031 80 390 0
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры
(материалы), состоящие из подложки с
несколькими последовательно
наращенными эпитаксиальными слоями
любого из следующих материалов:
3.3.1.1. Кремний 3818 00 100 0;
3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий 3818 00 900 0
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0
3.3.1.4. Соединения III/V на основе галлия или 3818 00 900 0
индия
Техническое примечание.
Соединения III/V - это либо
поликристаллические, либо бинарные или
многокомпонентные монокристаллические
продукты, состоящие из элементов групп
IIIA и VA (по отечественной
классификации это группы А3 и В5)
периодической системы Менделеева
(например, арсенид галлия, алюмоарсенид
галлия, фосфид индия и тому подобное).
3.3.2. Материалы резистов, а также подложки,
покрытые контролируемыми резистами:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные 3824 90 990 0
для полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для использования
на длине волны менее 350 нм
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 3824 90 990 0
использования при экспонировании
электронными или ионными пучками, с
чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм или
лучше
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 3824 90 990 0
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или
лучше
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 990 0
технологии формирования рисунка,
включая силилированные резисты
Техническое примечание.
Технология силилирования - это процесс,
включающий окисление поверхности
резиста, для повышения качества
мокрого и сухого проявления.
3.3.3. Следующие органо-неорганические
соединения:
3.3.3.1. Металлоорганические соединения 2931 00 950 0
алюминия, галлия или индия с чистотой
металлической основы более 99,999%
3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, 2931 00 950 0
сурьмы и фосфорорганические соединения
с чистотой неорганического элемента
более 99,999%
Примечание. По пункту 3.3.3
контролируются только соединения,
металлический, частично металлический
или неметаллический элемент в которых
непосредственно связан с углеродом
органической части молекулы.
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 2848 00 000 0;
имеющие чистоту более 99,999%, даже 2850 00 200 0
будучи растворенными в инертных газах
или водороде
Примечание. По пункту 3.3.4 не
контролируются гидриды, содержащие
20% и более молей инертных газов или
водорода.
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
разработанное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам
3.1.1.2-3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для применения в
оборудовании, управляемом встроенной
программой и контролируемом по пункту
3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР), имеющее все следующие
составляющие:
а) предназначено для разработки
полупроводниковых приборов или
интегральных схем; и
б) предназначено для выполнения или
использования любого из следующего:
реализации правил проектирования или
правил проверки схем;
моделирования физической топологии
схем; или
проектного моделирования
литографических процессов
Техническое примечание.
Проектное моделирование литографических
процессов - это пакет программного
обеспечения, используемый на этапе
проектирования для определения
последовательности операций
литографии, травления и осаждения в
целях воплощения маскирующих шаблонов
в конкретные топологические рисунки на
проводниках, диэлектриках или
полупроводниках.
Примечания:
1. По пункту 3.4.3 не контролируется
программное обеспечение, специально
разработанное для ввода описания схемы,
моделирования логической схемы,
раскладки и трассировки (проведения
соединений между точками схемы),
проверки топологии или ленты-носителя
формирования рисунка.
2. Библиотеки, проектные атрибуты или
сопутствующие данные для проектирования
полупроводниковых приборов или
интегральных схем рассматриваются как
технология.
3.5. Технология
3.5.1. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием к
настоящему Перечню для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пункту
3.1, 3.2 или 3.3
3.5.2. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием к
настоящему Перечню другие, чем те,
которые контролируются по пункту
3.5.1, для разработки или производства
микросхем микропроцессоров, микросхем
микрокомпьютеров и микросхем
микроконтроллеров, имеющих совокупную
теоретическую производительность (СТП)
530 Мтопс (миллионов теоретических
операций в секунду) или более и
арифметико-логическое устройство с
длиной выборки 32 бит или более
Примечание. По пунктам 3.5.1 и 3.5.2
не контролируются технологии для
разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем, контролируемых
по пунктам 3.1.1.1.3-3.1.1.1.11,
имеющих оба нижеперечисленных признака:
1) использующие технологии с
разрешением 0,5 мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных структур.
Техническое примечание.
Термин "многослойные структуры",
приведенный в подпункте 2 пункта "б"
примечания, не включает приборы,
содержащие максимум три металлических
слоя и три слоя поликристаллического
кремния.
3.5.3. Прочие технологии для разработки или
производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких, как
транзисторы с высокой подвижностью
электронов, биполярных транзисторов на
гетероструктуре, приборов с квантовыми
ямами или приборов на сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек из алмазных пленок для
электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на
диэлектрике (КНД-структур) для
интегральных схем, в которых
диэлектриком является диоксид кремния;
е) подложек из карбида кремния для
электронных компонентов;
ж) электронных вакуумных ламп,
работающих на частотах 31 ГГц или выше
КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и
программное обеспечение,
задействованные в телекоммуникациях или
локальных вычислительных сетях, должны
быть также проанализированы на
соответствие характеристикам, указанным
в части 1 категории 5
(Телекоммуникации).
2. Устройства управления, которые
непосредственно связывают шины или
каналы центральных процессоров,
устройства оперативной памяти или
дисковые контроллеры, не
рассматриваются как
телекоммуникационное оборудование,
описанное в части 1 категории 5
(Телекоммуникации).
Особое примечание.
Для определения контрольного статуса
программного обеспечения, специально
разработанного для коммутации пакетов,
следует применять пункт 5.4.1.
3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и
программное обеспечение, выполняющие
функции криптографии, криптоанализа,
сертифицируемой многоуровневой защиты
информации или сертифицируемые функции
изоляции пользователей либо
ограничивающие электромагнитную
совместимость (ЭМС), должны быть также
проанализированы на соответствие
характеристикам, указанным в части 2
категории 5 (Защита информации)
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. ЭВМ и сопутствующее оборудование, а
также электронные сборки и специально
разработанные для них компоненты:
4.1.1.1. Специально разработанные для 8471
достижения любой из следующих
характеристик:
а) по техническим условиям пригодные
для работы при температуре внешней
среды ниже 228 К (-45°С) или выше
358 К (85°С)
Примечание. По подпункту "а" пункта
4.1.1.1 не контролируются ЭВМ,
специально созданные для гражданских
автомобилей или железнодорожных
поездов.
б) радиационно стойкие при превышении
любого из следующих требований:
общая доза 5 х 10**3 Гр (Si)
[5 х 10**5 рад];
мощность дозы 5 х 10**6 Гр (Si)/с
[5 х 10**8 рад/с];
сбой от однократного события
10**-7 ошибок/бит/день
Особое примечание.
В отношении систем, оборудования и
компонентов, соответствующих
требованиям подпункта "б" пункта
4.1.1.1, см. также пункт 4.1.1
раздела 2.
4.1.1.2. Имеющие характеристики или функции 8471
производительности, превосходящие
пределы, указанные в части 2 категории
5 (Защита информации)
Примечание. По пункту 4.1.1.2 не
контролируются ЭВМ и относящееся к ним
оборудование, когда они вывозятся
пользователями для своего
индивидуального использования.
4.1.2. Гибридные ЭВМ, электронные сборки и 8471 10
специально разработанные для них
компоненты, имеющие в своем составе:
а) цифровые ЭВМ, которые
контролируются по пункту 4.1.3;
б) аналого-цифровые преобразователи,
обладающие всеми следующими
характеристиками:
32 каналами или более; и
разрешающей способностью 14 бит (плюс
знаковый разряд) или более со
скоростью 200000 преобразований/с или
более
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально разработанные для них
компоненты:
4.1.3.1. Спроектированные или модифицированные 8471
для обеспечения отказоустойчивости (кроме 8471 10)
Примечание. Применительно к пункту
4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее
оборудование не считаются
спроектированными или
модифицированными для обеспечения
отказоустойчивости, если в них
используется любое из следующего:
а) алгоритмы обнаружения или
исправления ошибок, хранимые в
оперативной памяти;
б) соединение двух цифровых
вычислительных машин такое, что если
происходит отказ активного
центрального процессора, то холостой
зеркальный центральный процессор может
продолжить функционирование системы;
в) соединение двух центральных
процессоров посредством каналов
передачи данных или с применением
разделяемой памяти, для того чтобы
обеспечить одному центральному
процессору возможность выполнять
некоторую работу, пока не откажет
другой центральный процессор; тогда
первый центральный процессор принимает
его работу на себя, чтобы продолжить
функционирование системы; или
г) синхронизация двух центральных
процессоров, объединенных посредством
программного обеспечения так, что один
центральный процессор распознает,
когда отказывает другой центральный
процессор, и восстанавливает задачи,
выполнявшиеся отказавшим процессором.
4.1.3.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (кроме 8471 10)
(СТП), превышающую 190000 Мтопс
4.1.3.3. Электронные сборки, специально 8471
разработанные или модифицированные для (кроме 8471 10)
повышения производительности путем
объединения вычислительных элементов
таким образом, чтобы совокупная
теоретическая производительность
объединенных сборок превышала пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2
Примечания:
1. Пункт 4.1.3.3 распространяется
только на электронные сборки и
программируемые взаимосвязи, не
превышающие пределы, указанные в
пункте 4.1.3.2, при поставке в виде
необъединенных электронных сборок. Он
не применим к электронным сборкам,
конструкция которых пригодна только
для использования в качестве
сопутствующего оборудования,
контролируемого по пункту 4.1.3.4.
2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются
электронные сборки, специально
разработанные для продукции или целого
семейства продукции, максимальная
конфигурация которых не превышает
пределы, указанные в пункте 4.1.3.2.
4.1.3.4. Оборудование, выполняющее 8543 90 200 0;
аналого-цифровые преобразования, 8471 90 000 0
превосходящее пределы, указанные в
пункте 3.1.1.1.5
4.1.3.5. Аппаратура, специально разработанная 8471 90 000 0;
для обеспечения внешних соединений 8517 50
цифровых ЭВМ или сопутствующего
оборудования, которые в коммуникациях
имеют скорость передачи данных,
превышающую 1,25 Гбайт/с
Примечание. По пункту 4.1.3.5 не
контролируется оборудование внутренней
взаимосвязи (например, объединительные
платы, шины), оборудование пассивной
взаимосвязи, контроллеры доступа к
сети или контроллеры каналов связи.
Примечания:
1. Пункт 4.1.3 включает:
а) векторные процессоры;
б) матричные процессоры;
в) процессоры цифровой обработки
сигналов;
г) логические процессоры;
д) оборудование для улучшения качества
изображения;
е) оборудование для обработки сигналов.
2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или
сопутствующего оборудования, описанных
в пункте 4.1.3, определяется
контрольным статусом другого
оборудования или других систем в том
случае, если:
а) цифровые ЭВМ или сопутствующее
оборудование необходимы для работы
другого оборудования или других систем;
б) цифровые ЭВМ или сопутствующее
оборудование не являются основным
элементом другого оборудования или
других систем; и
в) технология для цифровых ЭВМ и
сопутствующего оборудования подпадает
под действие пункта 4.5.
Особые примечания:
1. Контрольный статус оборудования
обработки сигналов или улучшения
качества изображения, специально
разработанного для другого оборудования
с функциями, ограниченными
функциональным назначением другого
оборудования, определяется контрольным
статусом такого оборудования, даже если
первое превосходит критерий основного
элемента.
2. Для определения контрольного
статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего
оборудования для телекоммуникационной
аппаратуры см. часть 1 категории 5
(Телекоммуникации).
4.1.4. ЭВМ, указанные ниже, и специально
спроектированное сопутствующее
оборудование, электронные сборки и
компоненты для них:
4.1.4.1. ЭВМ с систолической матрицей 8471
4.1.4.2. Нейронные ЭВМ 8471
4.1.4.3. Оптические ЭВМ 8471
4.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование - нет
4.3. Материалы - нет
4.4. Программное обеспечение
Примечание. Контрольный статус
программного обеспечения для
разработки, производства или
использования оборудования, указанного
в других категориях, определяется по
описанию соответствующей категории. В
данной категории дается контрольный
статус программного обеспечения для
оборудования этой категории.
4.4.1. Программное обеспечение следующих
видов:
4.4.1.1. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
разработки, производства или
использования оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по пункту 4.1 или 4.4
соответственно
4.4.1.2. Программное обеспечение иное, чем
контролируемое по пункту 4.4.1.1,
специально разработанное или
модифицированное для разработки или
производства:
а) цифровых ЭВМ, имеющих совокупную
теоретическую производительность
(СТП), превышающую 28000 Мтопс; или
б) электронных сборок, специально
разработанных или модифицированных для
повышения производительности путем
объединения вычислительных элементов
(ВЭ) таким образом, чтобы СТП
объединенных сборок превышала пределы,
указанные в подпункте "а" пункта
4.4.1.2.
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения,
указанного в пункте 4.4.1, см. также
пункт 4.4.1 разделов 2 и 3.
4.4.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
поддержки технологии, контролируемой
по пункту 4.5
4.4.3. Специальное программное обеспечение
следующих видов:
4.4.3.1. Программное обеспечение операционных
систем, инструментарий разработки
программного обеспечения и
компиляторы, специально разработанные
для оборудования многопоточной
обработки данных в исходных кодах
4.4.3.2. Программное обеспечение, имеющее
характеристики или выполняющее
функции, которые превышают пределы,
указанные в части 2 категории 5
(Защита информации)
Примечание. По пункту 4.4.3.2 не
контролируется программное
обеспечение, когда оно вывозится
пользователями для своего
индивидуального использования.
4.5. Технология
4.5.1. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием для
разработки, производства или
использования оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по пункту 4.1 или 4.4
соответственно
4.5.2. Иные технологии, кроме контролируемых
по пункту 4.5.1, специально
предназначенные или модифицированные
для разработки или производства:
а) цифровых ЭВМ, имеющих совокупную
теоретическую производительность
(СТП), превышающую 28000 Мтопс; или
б) электронных сборок, специально
разработанных или модифицированных для
повышения производительности путем
объединения вычислительных элементов
(ВЭ) таким образом, чтобы СТП
объединенных сборок превышала пределы,
указанные в подпункте "а"
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных
в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также
пункт 4.5.1 разделов 2 и 3.
Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической
производительности).
Используемые сокращения:
ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое
устройство);
ПЗ - плавающая запятая;
ФЗ - фиксированная запятая;
t - время решения;
XOR - исключающее ИЛИ;
ЦП - центральный процессор;
TП - теоретическая производительность (единичного
вычислительного элемента);
CTП - совокупная теоретическая производительность (всех
вычислительных элементов);
R - эффективная скорость вычислений;
ДС - длина слова (число битов);
L - корректировка длины слова (бита);
АЛУ - арифметическое и логическое устройство;
x - знак умножения.
Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП
выражается в миллионах теоретических операций в секунду (Мтопс), ДС
выражается в битах.
Основной метод вычисления СТП:
СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах
теоретических операций в секунду. При вычислении СТП конфигурации ВЭ
необходимо выполнить три следующих этапа:
1. Определить R для каждого ВЭ;
2. Произвести L для этой R, что даст в результате ТП для
каждого ВЭ;
3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной
конфигурации, если имеется больше одного ВЭ.
Подробное описание этих этапов приведено ниже.
Примечания:
1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов,
имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП
производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в
группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП
групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти.
2. Вычислительные элементы, скорость действия которых
ограничена скоростью работы устройства ввода-вывода данных и
периферийных функциональных блоков (например, дисковода,
контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при
вычислении СТП.
В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета
эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного
элемента:
Этап I: Эффективная скорость вычислений (R)
------------------------------T-------------------------------------
Для вычислительных ¦ Эффективная скорость вычислений
элементов, реализующих: ¦
------------------------------+-------------------------------------
только ФЗ 1/[3 х (время сложения ФЗ),
если операции сложения нет, то через
умножение:
(RФЗ) 1/(время умножения ФЗ),
если нет ни операции сложения, ни
операции умножения, то RФЗ
рассчитывается через самую быструю
из имеющихся арифметических операций:
1/[3 х (время операции ФЗ)]
см. примечания Х и Z
только ПЗ (RПЗ) МАХ {1/(время сложения ПЗ),
1/(время умножения ПЗ)}
см. примечания X и Y
и ФЗ, и ПЗ (R) вычисляется как RФЗ, так и RПЗ
Для простых логических 1/[3 х (время логической операции)
процессоров, не выполняющих здесь время логической операции -
указанные арифметические это время выполнения операции XOR, а
операции если ее нет, то берется самая
быстрая простая логическая операция,
см. примечания Х и Z
Для специализированных R = R' х ДС/64,
логических процессоров, не где R' - число результатов в секунду
выполняющих указанные ДС - число битов, над которым
арифметические и логические выполняется логическая операция
операции 64 - коэффициент, нормализующий под
64-разрядную операцию
Примечание. Каждый ВЭ должен оцениваться независимо.
Примечание W.
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29
|
